長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光器芯片亮相慕尼黑上海光博會(huì)

  ICC訊 炎炎夏日，馭光而行。7月11日~13日，2023上海慕尼黑光博會(huì)在國(guó)家會(huì)展中心（上海）如期舉辦，同期活動(dòng)如火如荼，長(zhǎng)光華芯攜全系列新品亮相，并舉辦長(zhǎng)光華芯參股子公司鎵銳芯光簽約儀式，現(xiàn)場(chǎng)精彩不斷，讓我們共享這一場(chǎng)光的盛宴！

  長(zhǎng)光華芯

  新品亮相

  此次，長(zhǎng)光華芯對(duì)全系列更新迭代產(chǎn)品進(jìn)行了展示。

  高功率半導(dǎo)體激光芯片

  長(zhǎng)光華芯傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品高功率半導(dǎo)體激光芯片商用功率提升至50W，為中國(guó)高功率光纖激光器泵浦源向著小型化、輕量化、智能化快速發(fā)展夯實(shí)“芯”基礎(chǔ)。

  激光雷達(dá)與3D傳感芯片

  長(zhǎng)光華芯高效率激光雷達(dá)與3D傳感芯片產(chǎn)品也已通過(guò)IATF16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證及車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q102認(rèn)證，可以批量供貨，打造中國(guó)激光雷達(dá)芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)應(yīng)用新標(biāo)桿。

  高速光通信芯片

  長(zhǎng)光華芯強(qiáng)勢(shì)發(fā)布的56G PAM4 EML光通信芯片也在本展會(huì)首次亮相，同時(shí)展示的還有50G PAM4 VCSEL芯片，現(xiàn)場(chǎng)擁躉者眾多，我們成功進(jìn)入通信芯片高端市場(chǎng)賽道。

  光纖/固體激光器泵浦源

  長(zhǎng)光華芯9XXnm光纖激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固體激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度的節(jié)約單瓦材料成本，為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值。

  直接半導(dǎo)體激光器

  長(zhǎng)光華芯直接半導(dǎo)體激光器拓寬了百瓦、千瓦、QCW、1710nm特殊波長(zhǎng)、手持焊等多系列產(chǎn)品。

  鎵銳芯光簽約儀式

  上午10點(diǎn)30分，在長(zhǎng)光華芯8.1B316展臺(tái)舉行了隆重的長(zhǎng)光華芯參股公司鎵銳芯光簽約儀式。

  蘇州鎵銳芯光科技有限公司，是長(zhǎng)光華芯和中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合建設(shè)的氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)上成立的成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)公司，研制的綠光激光器光功率已達(dá)1.2W，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，處于國(guó)際先進(jìn)水平；大功率藍(lán)光激光器光功率已達(dá)7.5W，達(dá)到國(guó)際一流水平。鎵銳芯光旨在成為國(guó)內(nèi)第一、國(guó)際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業(yè)，自主掌握外延設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)與制造、封裝與測(cè)試等全流程設(shè)計(jì)和工藝制造能力。

  中國(guó)激光領(lǐng)軍人物大會(huì)暨上市公司峰會(huì)

  7月10日，長(zhǎng)光華芯副總經(jīng)理吳真林在中國(guó)激光領(lǐng)軍人物大會(huì)暨上市公司峰會(huì)做題為《光子時(shí)代的芯力量》主題演講。

  最快的刀，最準(zhǔn)的尺，最亮的光，激光被稱(chēng)為二十世紀(jì)四大發(fā)明之一，而半導(dǎo)體激光器的誕生使激光成為一種“普惠型的工具，正在加工與制造、醫(yī)療與美容，雷達(dá)與傳感，顯示與照明等領(lǐng)域掀起產(chǎn)業(yè)革命。而推動(dòng)這一場(chǎng)又一場(chǎng)革命力量的源泉，是一顆小小的半導(dǎo)體激光芯片。

  長(zhǎng)光華芯是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的IDM公司，以外延和晶圓工藝核心技術(shù)為基礎(chǔ)，完善從外延到流片，封裝，光纖耦合，系統(tǒng)集成的完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)“中國(guó)激光芯”的完全自主可控。

  此外，公司橫向擴(kuò)展了激光雷達(dá)與3D傳感芯片，高速光通信芯片，且均進(jìn)入該市場(chǎng)的高端核心賽道，可分別應(yīng)用于車(chē)載激光雷達(dá)與數(shù)據(jù)中心。

  在激光垂直應(yīng)用領(lǐng)域，長(zhǎng)光華芯直接半導(dǎo)體激光器專(zhuān)注工業(yè)領(lǐng)域，產(chǎn)品品類(lèi)齊全，性能可靠。

  激光聚會(huì)2023激光技術(shù)持續(xù)賦能智能制造

  7月11日，長(zhǎng)光華芯產(chǎn)品經(jīng)理/項(xiàng)目研究員譚博士在激光技術(shù)持續(xù)賦能智能制造論壇上做題為《高功率高亮度半導(dǎo)體激光芯片研究進(jìn)展》主題演講。

  高功率半導(dǎo)體激光器廣泛用作光纖激光器和固態(tài)激光器的泵浦源，或直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)的光源。為了滿(mǎn)足光纖激光器、固態(tài)激光器和直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)的新興需求，半導(dǎo)體激光器正朝著具有更高的性能、更低的成本和更大的制造規(guī)模的方向發(fā)展。

  譚博士介紹了長(zhǎng)光華芯在芯片研發(fā)與制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破，包括腔面鈍化技術(shù)，高功率外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與生長(zhǎng)技術(shù)、高亮度模式控制技術(shù)以及量產(chǎn)制造技術(shù)。2023年，長(zhǎng)光華芯推出了9XXnm 50W 高功率半導(dǎo)體激光芯片，在寬度為330μm發(fā)光區(qū)內(nèi)產(chǎn)生50W的激光輸出，亮度達(dá)到了105MW/cm2·sr，相較前代產(chǎn)品提高了18.4%，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)、出貨，是目前市場(chǎng)上量產(chǎn)功率最高的半導(dǎo)體激光芯片。