50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇成功舉辦 聚焦下一代PON商用機遇

  ICC訊 5月16日，2024中國光谷·光電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會隆重開幕，由ICC訊石主辦的《50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇》成功舉辦，聚焦PON技術(shù)迭代演進，探索下一代光纖接入應用，賦能光通訊產(chǎn)業(yè)增長驅(qū)動力。本次會議匯聚200多位光電子、光通信行業(yè)專業(yè)觀眾和嘉賓參與，來自中國信通院、烽火通信、光安倫、中國聯(lián)通、光迅科技、中國移動、永鼎光電子、華工正源、驛路通、武漢理工大學、中科院半導體所等行業(yè)專家發(fā)表專業(yè)報告。

程強 中國信通院技術(shù)與標準研究所主任工程師

  中國信通院技術(shù)與標準研究所主任工程師程強發(fā)表《FTTR國際標準進展與展望》報告，回顧FTTR國際標準的發(fā)展、介紹目前FTTR標準開發(fā)的進展和熱點問題，并展望了后續(xù)FTTR國際標準發(fā)展的方向。伴隨著我國FTTR用戶的飛速發(fā)展，2023年FTTR用戶增長了10倍，2024年前兩月新增超過280萬。全國85個省份運營商商用了FTTR。在標準進展方面，最新已通過G.9941物理層和G.9942鏈路層標準，已立項的標準包括G.fin-XPHY物理層、G.fin-XDLL鏈路層和G.WMCI無線控制接口。

王志軍 烽火通信 技術(shù)專家

  烽火通信技術(shù)專家王志軍發(fā)表《智慧光接入：共建數(shù)智底座 共享數(shù)智未來》報告， 50G PON是未來全光接入網(wǎng)的關(guān)鍵核心，其標準建立正在快速演進，ITU-T 2023年完成50G PON標準G.9804.3 Amd2 制定，中國CCSA也啟動50G PON系列標準的制定。50G PON需要滿足50G PON/10G PON/PON三代技術(shù)兼容共存，這需要產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同推動發(fā)展，目前50G PON MAC芯片、光模塊都在設計開發(fā)中，OLT/ONU設備已有相關(guān)樣品。此外，F(xiàn)TTR產(chǎn)業(yè)標準、成熟度也在快速發(fā)展，根據(jù)FTTR短距傳輸場景需求重新定義鏈路預算和光器件指標，要實現(xiàn)低速超頻和發(fā)光降級，降低核心光器件成本，10G對稱光器件將是重要選擇。

姚劍波 光安倫總經(jīng)理

  武漢光安倫光電技術(shù)有限公司總經(jīng)理姚劍波發(fā)表《50G PON光芯片產(chǎn)品介紹與市場探討》報告，介紹了光安倫2024年芯片產(chǎn)品定型與新型封裝方案。在50G PON商業(yè)化發(fā)展上，50G PON ONU光芯片難點總體在于，DFB+R/DFB+SOA對應的Driver研制需要時間和資源配套，建議光芯片需要電芯片聯(lián)合配合推進開發(fā)進度。50G PON將在2025年個別城市試點布網(wǎng)，2026-2027年有望形成規(guī)?；佋O。PON ONU是光通訊市場競爭激烈的細分板塊，需要產(chǎn)業(yè)聯(lián)合探索新發(fā)展模式和生態(tài)。

邵巖 中國聯(lián)通 研究院光接入網(wǎng)室主任

  中國聯(lián)通研究院光接入網(wǎng)室主任邵巖發(fā)表《面向F5G-A的光接入關(guān)鍵技術(shù)探討》報告，伴隨著國家頂層設計和政策推進，中國成為光接入網(wǎng)產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者。50G PON和FTTR是F5G-A產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)，可以推動泛在萬兆接入應用。50G-PON共存存在多種選擇模式，需要不斷探索應用場景，助力產(chǎn)業(yè)聚合發(fā)展。而國內(nèi)產(chǎn)業(yè)協(xié)同制定FTTR標準，F(xiàn)TTR總體規(guī)范已發(fā)布，其中光器件是FTTR產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵構(gòu)成。

林韜 光迅科技 市場經(jīng)理

  武漢光迅科技股份有限公司市場經(jīng)理林韜發(fā)表《50G PON光器件發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn)》，在過去十多年里，PON技術(shù)在接入網(wǎng)市場獲得了巨大的商業(yè)成功，PON光器件/光模塊市場收入規(guī)模每年可達6-8億美元，P-to-MP架構(gòu)的低成本優(yōu)勢是PON網(wǎng)絡成功的重要原因。50G PON速率是下一代FTTH場景的主流選擇，規(guī)模上量后可迅速降低成本，50G PON光器件特點將是50G Tri Combo，采用六向器件的封裝，出光功率要求不斷提高。50G PON當前面臨的挑戰(zhàn)，包括對稱速率 50G PON 產(chǎn)業(yè)鏈不成熟，三模Combo OLT模塊如何分光實現(xiàn)，如何設定C+功率預算以及能否單卡支持16 端口。

李俊瑋 中國移動 研究院光接入專家

  中國移動研究院光接入網(wǎng)及家庭網(wǎng)絡研究室經(jīng)理李俊瑋發(fā)表《創(chuàng)新萬兆光寬帶 筑基算網(wǎng)新未來》報告，中國移動面向算網(wǎng)融合打造堅實全光底座，在接入層構(gòu)建50G PON+FTTR協(xié)同的新一代光接入網(wǎng)。50G PON作為下一代光接入網(wǎng)技術(shù)體系，應滿足50G帶寬下的C+等級功率預算，同時上行方向兼容對稱和非對稱速率ONU，并支持和GPON和10G PON同端口共存以及低時延能力。關(guān)鍵技術(shù)包括ODN兼容高功率預算收發(fā)、多速率兼容oDSP技術(shù)、三代模式共存以及低時延與綜合承載。在FTTR方面，中國移動聯(lián)合業(yè)界主導FTTR國內(nèi)外標準制定，F(xiàn)TTR物理層器件上，激光器采用DML且無需制冷，從設備接收機均采用PIN，其中10G Rb場景，通過提高主發(fā)射功率至5～9dBm，保證從設備接收機為PIN，降低FTTR整體成本。電芯片復用PON系統(tǒng)，考慮超頻技術(shù)實現(xiàn)最低成本光芯片方案。

王明利 永鼎光電子副總經(jīng)理

  江蘇永鼎光電子技術(shù)有限公司副總經(jīng)理王明利發(fā)表《50G PON波分復用器件技術(shù)與挑戰(zhàn)》報告，50G PON發(fā)展挑戰(zhàn)在于其與GPON上行波長間隔只有2nm，要實現(xiàn)30dB隔離度的波分復用需要產(chǎn)業(yè)鏈攜手突破技術(shù)瓶頸。在OLT側(cè)的RX信號分離，GPON濾光片的透射帶寬達到40nm（1290-1330nm），意味著僅有2nm過渡區(qū)在50G-PON帶邊1288nm要實現(xiàn)30dB隔離度。針對50G PON 30dB隔離度的技術(shù)難題，永鼎光電子基于核心鍍膜技術(shù)及先進的行業(yè)器件工藝，推出可應用于50G PON的濾光片產(chǎn)品，并在50G PON濾光片指標的基礎(chǔ)上，G/XG(S)/50G PON三模共存的Zblock可以按照任意波長順序組裝。此外，永鼎光電子于全球率先推出了推出一系列低插損、高隔離度、高可靠性且多種PON共存的WDM無源模組，可以可分解、復用EPON、GPON、NGPON、50G PON等各種PON網(wǎng)絡，可滿足客戶的定制化需求。

黃文娟 華工正源 項目經(jīng)理

  華工正源光子技術(shù)有限公司項目經(jīng)理黃文娟發(fā)表《50G PON技術(shù)進展及發(fā)展趨勢討論》報告，千兆光網(wǎng)快速邁向萬兆光網(wǎng)發(fā)展，50G PON是關(guān)鍵技術(shù)，其物理層技術(shù)難度可以分為光芯片、電芯片和系統(tǒng)驗證三個方面。50G下行解決方案，現(xiàn)已有EML可達成N1指標要求，C+高功率預算需要EML集成SOA實現(xiàn)，光器件設計上優(yōu)化光路設計、調(diào)整發(fā)散角，降低光路損耗，提出更為高效耦合的光路設計，以及目前可將耦合效率提升到68%，滿足50G PON C+功率等級應用。50G COMBO PON下行解決方案可采用六向三模同軸BOSA光器件，而BOX BOSA考慮光學元件貼裝位置偏差，貼片機的貼片精度，仿真得到耦合效率，可實現(xiàn)50G 1342nm，1577nm和1490nm光功率仍能滿足C+功率等級出光要求。

張祥波 驛路通總經(jīng)理

  武漢驛路通科技股份有限公司總經(jīng)理張祥波發(fā)表《光纖布拉格光柵技術(shù)與FTTR鏈路設計》報告，面向光網(wǎng)絡和FTTR市場，“AI‘深’透數(shù)字生活，F(xiàn)TTR創(chuàng)新助推智慧家庭升維。在FTTR鏈路監(jiān)測分析上，PON網(wǎng)絡復雜的點到多點ODN網(wǎng)絡環(huán)境，光纖故障的快速監(jiān)測與診斷成為一件具有挑戰(zhàn)性的工作。解決方案是可以將FBG反射器于ONU側(cè)，波長為1645?1655nm，滿足此布拉格條件的光信號將會沿輸入路徑返回，而其他波長的光（1260~1625nm）均可以通過。輸入光信號段如果能檢測到該波段的光纖光柵反射峰就可以判斷該傳輸路徑是正常的。FBG還可以在DWDM系統(tǒng)的增益平坦濾波器、色散補償器以及泵浦激光器和微波光子系統(tǒng)發(fā)揮作用。驛路通正在研發(fā)多芯FBG和異型FBG，可在傳感應用帶來全新體驗。

鄢永高 武漢理工大學教授

  武漢理工大學教授鄢永高發(fā)表《下一代PON熱電材料技術(shù)發(fā)展進展》報告。當前光通信產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)推動50G PON標準發(fā)展，為家庭、園區(qū)提供更高速PON以及FTTR解決方案。下一代PON需要使用TEC熱點材料實現(xiàn)波長漂移的精準控制，TEC利用半導體熱電材料的帕爾貼效應，可在固體狀態(tài)下實現(xiàn)熱能和電能互相轉(zhuǎn)換，是光通信模塊的核心元器件之一，目前北國外廠商高度壟斷。武漢新賽爾是一支國內(nèi)外科學家領(lǐng)銜的高水平TEC熱電材料研發(fā)和運營團隊創(chuàng)立，目前已建成國內(nèi)自動化程度一流的半導體熱點TEC器件生產(chǎn)線，擁有高效半導體熱電器件制造技術(shù)、包括熱電材料、微型器件自動一體化制造和表面/界面處理與精準加工以及熱電粒子高效識別、自動組裝等技術(shù)。

陸丹 中科院半導體所研究員

  中科院半導體所研究員陸丹發(fā)表《50G PON光發(fā)射芯片技術(shù)及進展》報告，介紹50G PON中的高速光發(fā)射芯片技術(shù)及其進展，對電吸收調(diào)制激光器、高速直調(diào)激光器等關(guān)鍵器件的技術(shù)特點、性能提升方案進行梳理。伴隨著PON速率朝發(fā)展，50G 被認為是下一代主流技術(shù)選擇，但 50G-PON所使用的激光器技術(shù)，尤其是EML激光器將面臨新挑戰(zhàn)，在同時實現(xiàn)高功率和高帶寬性能方面，僅僅搭載一個EML激光器芯片或不足以滿足性能要求。中科院半導體所提出了一種集成EML激光器和SOA芯片的解決方案，同時分析了集成SOA芯片所產(chǎn)生的各種影響，并展示了業(yè)界的一些典型技術(shù)方案，例如華為的低飽和功率SOA和三菱電機的高飽和功率SOA方案。

吳娜 ICC訊石高級分析師

  ICC訊石高級分析師吳娜發(fā)表《光纖寬帶市場發(fā)展前景分析》報告。PON技術(shù)以每8-10年的速度升級，現(xiàn)階段是10G PON的商用部署期。在下一代PON發(fā)展路上，業(yè)界圍繞25G PON與50G PON存在爭論，在PON生態(tài)系統(tǒng)的支持下，25G PON和50G PON均有成功機會。其中50G PON有望在2024年開始商用試點，并在2028年成為主流寬帶技術(shù)。隨著帶寬增速正常化，50G PON可能要到2028年開始規(guī)模商用，而2030年前XGS-PON仍將引領(lǐng)市場。

論壇現(xiàn)場

  本次《50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇》圓滿成功，行業(yè)共識是PON已經(jīng)成為全球家庭網(wǎng)絡、園區(qū)網(wǎng)絡、智慧城市和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重要場景的首選技術(shù)，支持不斷增長的帶寬需求、低延遲和可持續(xù)性，同時實現(xiàn)演進技術(shù)與早期技術(shù)的共存。行業(yè)正加速向50G PON升級演進，今明兩年有望實現(xiàn)試點商用，2028年將形成規(guī)模化部署。50G PON融合了PON技術(shù)的所有優(yōu)勢，將推動光器件、光電芯片及光通信產(chǎn)業(yè)鏈的迭代發(fā)展。電信運營商、系統(tǒng)設備商以及下游終端應用持續(xù)推動50G PON發(fā)展，為家庭、園區(qū)提供更高速、更高體驗的PON以及FTTR解決方案。