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ASML全新光刻機(jī)準(zhǔn)備中:Intel提前鎖定 沖擊2nm工藝

摘要:對(duì)于芯片廠商而言,光刻機(jī)顯得至關(guān)重要,而ASML也在積極布局新的技術(shù)。據(jù)外媒報(bào)道稱,截至 2022 年第一季度,ASML已出貨136個(gè)EUV系統(tǒng),約曝光7000萬個(gè)晶圓已曝光。按照官方的說法,新型號(hào)的EUV光刻機(jī)系統(tǒng) NXE:3600D將能達(dá)到93%的可用性,這將讓其進(jìn)一步接近DUV光刻機(jī)(95%的可用性)。

  ICC訊 對(duì)于芯片廠商而言,光刻機(jī)顯得至關(guān)重要,而ASML也在積極布局新的技術(shù)。據(jù)外媒報(bào)道稱,截至 2022 年第一季度,ASML已出貨136個(gè)EUV系統(tǒng),約曝光7000萬個(gè)晶圓已曝光。按照官方的說法,新型號(hào)的EUV光刻機(jī)系統(tǒng) NXE:3600D將能達(dá)到93%的可用性,這將讓其進(jìn)一步接近DUV光刻機(jī)(95%的可用性)。

  數(shù)據(jù)顯示,NXE:3600D系統(tǒng)每小時(shí)可生產(chǎn)160個(gè)晶圓 (wph),速度為30mJ/cm,這比 NXE:3400C高18%。二正在開發(fā)的 NXE:3800E系統(tǒng)最初將以30mJ/cm的速度提供大過195wph的產(chǎn)能,并在吞吐量升級(jí)后達(dá)到220wph。

  據(jù)介紹,NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進(jìn)行漸進(jìn)式光學(xué)改進(jìn),而在0.33 NA的EUV光刻機(jī)領(lǐng)域,ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F。

  對(duì)于0.55 NA的光刻機(jī),需要更新的不但是其光刻機(jī)系統(tǒng)。同時(shí)還需要在光掩模、光刻膠疊層和圖案轉(zhuǎn)移工藝等方面齊頭并進(jìn),才能讓新設(shè)備應(yīng)用成為可能。

  根據(jù)ASML 在一季度財(cái)務(wù)會(huì)議上披露的數(shù)據(jù),公司的目標(biāo)是在2022年出貨55臺(tái)EUV系統(tǒng),并到2025年實(shí)現(xiàn)(最多)90臺(tái)工具的計(jì)劃。ASML同時(shí)還承認(rèn), 90臺(tái)可能超過2025年的實(shí)際需求,不過他們將其描述為為滿足2030年1萬億美元半導(dǎo)體行業(yè)需求所做出的巨大努力。

  按照之前的說法,ASML正在研發(fā)新款光刻機(jī),價(jià)值高達(dá)4億美元(約合26億元人民幣),雙層巴士大、重超200噸。原型機(jī)預(yù)計(jì)2023年上半年完工,2025年首次投入使用,2026年到2030年主力出貨。

  這款機(jī)器應(yīng)該指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA),Intel是全球第一個(gè)下單的公司。所謂High-NA也就是高數(shù)值孔徑,2nm之后的節(jié)點(diǎn)都得依賴它實(shí)現(xiàn)。

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