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工信部發(fā)布半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展定調(diào)

摘要:工信部公開(kāi)征求對(duì)《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)(征求意見(jiàn)稿)》的意見(jiàn),目標(biāo)到 2025 年,能源電子產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值達(dá)到3萬(wàn)億元,綜合實(shí)力進(jìn)入世界先進(jìn)行列。

  ICC訊 近日,工信部公開(kāi)征求對(duì)《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)(征求意見(jiàn)稿)》的意見(jiàn),目標(biāo)到 2025 年,能源電子產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值達(dá)到3萬(wàn)億元,綜合實(shí)力進(jìn)入世界先進(jìn)行列。

  關(guān)于能源電子關(guān)鍵信息技術(shù)產(chǎn)品:

  (1)光電子器件?;谀茉措娮有枨螅l(fā)展高速光通信芯片、高速高精度光探測(cè)器、高速直調(diào)和外調(diào)制激光器、高速調(diào)制器芯片、高功率激光器、光傳輸用數(shù)字信號(hào)處理器芯片、高速驅(qū)動(dòng)器和跨阻抗放大器芯片。

  (2)功率半導(dǎo)體器件。面向光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、半導(dǎo)體照明等,發(fā)展新能源用耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠 IGBT 器件及模塊,SiC、GaN 等先進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體材料與先進(jìn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和封裝技術(shù),新型電力電子器件及關(guān)鍵技術(shù)。

  (3)敏感元件及傳感類器件。發(fā)展小型化、低功耗、集成化、高靈敏度的敏感元件,集成多維度信息采集能力的高端傳感器,新型 MEMS 傳感器和智能傳感器,突破微型化、智能化的電聲器件和圖像傳感器件。

  (4)發(fā)光二極管。推動(dòng)高品質(zhì)、全光譜 LED 芯片及器件研發(fā),加快提升晶片、銀膠、環(huán)氧樹(shù)脂等性能。面向機(jī)器視覺(jué)、植物生長(zhǎng)、紫外消殺等非視覺(jué)應(yīng)用,突破 LED 生產(chǎn)工藝、高光效黃光 LED芯片、新型高效非可見(jiàn)光發(fā)光材料等技術(shù),支持新型照明應(yīng)用。

  (5)先進(jìn)計(jì)算及系統(tǒng)。加快云計(jì)算、量子計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)與人工智能等技術(shù)推廣應(yīng)用。支持研究多域電子電氣架構(gòu),突破智能設(shè)計(jì)與仿真及其工具、制造物聯(lián)與服務(wù)、能源大數(shù)據(jù)處理等高端工業(yè)軟件核心技術(shù),建立健全能源電子生產(chǎn)運(yùn)維信息系統(tǒng)。

  (6)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)與運(yùn)行分析系統(tǒng)。推動(dòng)建設(shè)能源電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)平臺(tái),開(kāi)展平臺(tái)基礎(chǔ)能力、運(yùn)營(yíng)服務(wù)、產(chǎn)業(yè)支撐等運(yùn)行數(shù)據(jù)自動(dòng)化采集,研發(fā)平臺(tái)運(yùn)行監(jiān)測(cè)及行業(yè)運(yùn)行分析模型,提升數(shù)據(jù)匯聚、分析、應(yīng)用能力。

內(nèi)容來(lái)自:晶圓制造與芯片設(shè)計(jì)
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關(guān)鍵字: 工信部 芯片
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