OpenLight與Tower Semiconductor驗證400G每通道硅光調(diào)制器性能

  創(chuàng)新推動高量產(chǎn)硅光400每通道平臺，滿足下一代3.2T光通信架構(gòu)需求

  ICC訊 3月12日，全球定制化PASIC芯片設(shè)計與制造領(lǐng)導(dǎo)者OpenLight，與高價值模擬半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先代工廠Tower Semiconductor，宣布基于商用化集成硅光平臺，PH18DA成功驗證了400G每通道調(diào)制器性能。該調(diào)制器采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PAM-4調(diào)制格式，驅(qū)動電壓峰峰值僅需0.6伏，消光比優(yōu)于3.5分貝。此次400G演示基于OpenLight的硅光知識產(chǎn)權(quán)（IP），并采用Tower Semiconductor現(xiàn)有硅光平臺實現(xiàn)流片（該平臺已支持客戶實現(xiàn)100G及200G每通道應(yīng)用）。

  此次集成硅光技術(shù)Demo旨在支持下一代400G每通道的光通信架構(gòu)，提供從100G、200G到400G的可擴展解決方案，以滿足云計算、人工智能（AI）及機器學(xué)習(xí)（ML）應(yīng)用對高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)目焖僭鲩L需求。通過在所有四個粗波分復(fù)用（CWDM）波長上實現(xiàn)400G每通道傳輸，該技術(shù)為下一代3.2Tbps及更高速率的DR8與FR4解決方案提供了商業(yè)化可行路徑。

  目前，由于純硅基調(diào)制器無法支持400G比特率，使得業(yè)界迫切需要一種高性價比解決方案。針對數(shù)據(jù)中心與AI應(yīng)用（包括線性直驅(qū)LPO和共封裝光學(xué)CPO），基于異構(gòu)集成（heterogeneous integration）的器件展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：小尺寸、高帶寬、低驅(qū)動電壓，并可在硅光平臺上實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。除400G調(diào)制器的異構(gòu)集成外，該平臺還可將激光器、光放大器等元件在密集光子集成電路（PIC）中實現(xiàn)單片集成，兼顧成本與能效。

  OpenLight首席執(zhí)行官Dr. Adam Carter表示：“與Tower Semiconductor的合作是先進(jìn)硅光技術(shù)融入數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的關(guān)鍵一步。此次成功驗證為高速網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的突破性進(jìn)展奠定了基礎(chǔ)。借助現(xiàn)有200G異構(gòu)調(diào)制器設(shè)計，我們助力客戶實現(xiàn)PASIC設(shè)計從100G、200G到400G每通道的平滑演進(jìn)，有效縮短設(shè)計周期、布局優(yōu)化及上市時間 — 400G調(diào)制器可直接替換現(xiàn)有200G調(diào)制器PASIC設(shè)計。采用相同設(shè)計的另一優(yōu)勢在于已驗證的高可靠性能，以及封裝至集成光學(xué)組件時使用倒裝（flip-chip）芯片工藝的能力?！?

  Tower Semiconductor首席執(zhí)行官Russell Ellwanger表示：“我們很高興與OpenLight合作，利用其尖端硅光技術(shù)開發(fā)支持400G/通道的高性價比方案。這是對現(xiàn)有PH18DA平臺（已支持100G及200G/通道）的延伸，現(xiàn)可為400G/通道提供成熟解決方案，并立即開放客戶原型設(shè)計。這是為下一代光通信技術(shù)提供可擴展、高可靠、高性能且可量產(chǎn)解決方案的重要里程碑。通過采用高塔PH18DA平臺，此次合作使傲光科技的異構(gòu)集成技術(shù)無需依賴薄膜鈮酸鋰（TFLN）、鈦酸鋇（BTO）或聚合物等復(fù)雜昂貴替代方案，即可實現(xiàn)向更高速率的安全過渡?！?

  OpenLight和Tower Semiconductor將出席4月1-3日在美國舊金山舉辦的OFC 2025，OpenLight展位號# 4231，Tower Semiconductor 展位號#3222。