ICC訊 中國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)自主半導(dǎo)體激光芯片近年來(lái)發(fā)展迅速,已經(jīng)建成了數(shù)十條半導(dǎo)體激光器芯片生產(chǎn)線,其檢測(cè)需求達(dá)到幾十億甚至上百億顆的量級(jí)。
芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一,半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體,其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主,在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié),良品率不高是一個(gè)普遍問(wèn)題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例,其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率,但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高,就需要專(zhuān)用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選,國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar條測(cè)試,因?yàn)閎ar條測(cè)試后的芯片需要二次裂片,中間環(huán)節(jié)各種因素對(duì)于苛刻的高端芯片又會(huì)導(dǎo)致3-5%的良率損失。隨著半導(dǎo)體激光器芯片速率越來(lái)越高,后道封裝存在芯片尺寸更小及工藝更復(fù)雜的趨勢(shì),而這些二次損傷的芯片被作為良品流入后道封裝環(huán)節(jié),會(huì)帶來(lái)了巨大的成本支出,從而提高了成品器件的生產(chǎn)成本。另外半導(dǎo)體激光器芯片對(duì)溫度非常敏感,Bar條在測(cè)試臺(tái)上的接觸因?yàn)椴荒芡耆珴M(mǎn)足芯片在高溫測(cè)試條件下散熱的要求,重復(fù)測(cè)試GRR不能保證。因此,國(guó)內(nèi)外廠家都已經(jīng)逐步從低端的Bar條測(cè)試轉(zhuǎn)向高端的裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試。
而中國(guó)大陸此類(lèi)高端測(cè)試設(shè)備,原先幾乎全部被進(jìn)口壟斷。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的背景下,這些進(jìn)口設(shè)備對(duì)國(guó)內(nèi)300家實(shí)體名單公司禁售或限售,阻礙了中國(guó)自主光電芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
為了滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的新增需求,聯(lián)訊儀器基于自身在激光器芯片測(cè)試技術(shù)和核心測(cè)試儀表開(kāi)發(fā)上積累的豐富經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過(guò)多年的潛心研發(fā)、自主創(chuàng)新和迭代,聯(lián)訊儀器實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)核心技術(shù)的突破,于2020年率先推出國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體激光器芯片常高溫測(cè)試機(jī)CT8201樣機(jī),打破國(guó)外壟斷。CT8201于2021年3月正式量產(chǎn),緊接著又推出了滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)低溫測(cè)試要求的芯片測(cè)試機(jī)CT8203。
聯(lián)訊儀器的激光器芯片測(cè)試機(jī)是光芯片測(cè)試的關(guān)鍵核心高端裝備,它是集光、機(jī)、電、軟、算于一體復(fù)雜系統(tǒng),通過(guò)集成芯片ID掃描、上料、運(yùn)輸、高/低溫控制、測(cè)試、下料、分揀歸類(lèi)功能單元,可以適應(yīng)不同類(lèi)型半導(dǎo)體激光器(DFB、EML、EML+SOA)裸Die芯片及CoC芯片電氣和光學(xué)特性進(jìn)行檢測(cè)、判定與分選。
聯(lián)訊儀器的芯片測(cè)試機(jī)在早期驗(yàn)證階段,已經(jīng)通過(guò)了國(guó)內(nèi)多個(gè)客戶(hù)的嚴(yán)格、高負(fù)荷驗(yàn)證,連續(xù)測(cè)試5000顆芯片無(wú)拋料現(xiàn)象,同時(shí)與進(jìn)口設(shè)備進(jìn)行對(duì)標(biāo),各項(xiàng)測(cè)試性能指標(biāo)與生產(chǎn)良率滿(mǎn)足客戶(hù)要求,甚至部分指標(biāo)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備,最終得到客戶(hù)的一致認(rèn)可。
聯(lián)訊儀器芯片測(cè)試機(jī)自推出以來(lái),由于其具有測(cè)試速度快、溫控精度高,測(cè)試數(shù)據(jù)的再現(xiàn)性和相關(guān)性穩(wěn)定可靠、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn),已得到國(guó)內(nèi)多個(gè)客戶(hù)認(rèn)可并批量出貨,截止2022年2月,總出貨量已超60臺(tái),目前在手訂單近40臺(tái),累計(jì)獲取訂單近100臺(tái)。
芯片測(cè)試機(jī)的主要性能指標(biāo)如下:
1.提供兩種規(guī)格供客戶(hù)選擇:常高溫測(cè)試機(jī)25℃~95℃(型號(hào)CT8201),三溫測(cè)試機(jī)-45℃~95℃(CT8203);Ith<±0.2mA(-40℃),<±0.2mA(25℃),< ±0.5mA(85℃);
Po<±2%;
Vf<±0.01V;
λc<±0.1nm;
SMSR<±1.5dB;
芯片測(cè)試機(jī)的主要特點(diǎn):
1.兼容性好:支持DFB、EML與EML+SOA芯片測(cè)試,只需要配置相應(yīng)通道源表;6.資深自動(dòng)化設(shè)計(jì)與測(cè)試團(tuán)隊(duì),快速響應(yīng)客戶(hù)軟件、硬件與測(cè)試定制需求,最終確保測(cè)試的穩(wěn)定性;
同時(shí),聯(lián)訊儀器利用自身在國(guó)產(chǎn)高端測(cè)試儀表與設(shè)備上的突出優(yōu)勢(shì),在芯片測(cè)試機(jī)中集成了聯(lián)訊自有品牌的高精度數(shù)字源表,精度高,掃描速度快,大大降低客戶(hù)的擁有成本。
聯(lián)訊高精度數(shù)字源表系列性能指標(biāo):
1.單/雙/四通道綜合四象限測(cè)量功能;6.高速測(cè)量,最高支持1M的ADC采樣率;
聯(lián)訊儀器的高精度數(shù)字源表系列產(chǎn)品已經(jīng)獲得了光通信、LED和半導(dǎo)體行業(yè)的廣大客戶(hù)的認(rèn)可,成長(zhǎng)為聯(lián)訊儀器家庭又一個(gè)國(guó)內(nèi)領(lǐng)跑的產(chǎn)品線,即將為聯(lián)訊的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)帶來(lái)新的推動(dòng)力。
關(guān)于聯(lián)訊儀器
蘇州聯(lián)訊儀器有限公司成立于2017年3月,是一家主要從事光通信和半導(dǎo)體高端儀器設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及服務(wù)的企業(yè),專(zhuān)業(yè)為客戶(hù)提供高質(zhì)量、高技術(shù)的測(cè)試儀器及其整體解決方案。產(chǎn)品主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、接入網(wǎng)、5G承載網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)核心光電芯片、器件、模塊測(cè)試測(cè)量等領(lǐng)域。可以提供的設(shè)備包括高速通信測(cè)試設(shè)備(光采樣示波器、高速誤碼儀、網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀、波長(zhǎng)計(jì)、光電混合測(cè)試機(jī))、激光器芯片測(cè)試設(shè)備(激光器芯片測(cè)試機(jī),激光器晶圓測(cè)試機(jī))和半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備(高精度數(shù)字源表,半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī))等,實(shí)現(xiàn)了對(duì)光電測(cè)試細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)品線全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,并填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端測(cè)試裝備的諸多空白。
科技創(chuàng)新是聯(lián)訊儀器的立足之本。公司以“不斷填補(bǔ)中國(guó)高端光電測(cè)試儀表和設(shè)備空白, 打破國(guó)際壟斷”為使命,經(jīng)過(guò)持續(xù)的自主研發(fā)和獨(dú)立創(chuàng)新,逐步成為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的覆蓋光通信芯片→器件→模塊→設(shè)備光通信測(cè)試全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合供應(yīng)商,贏得了百余家國(guó)內(nèi)外知名客戶(hù)的認(rèn)可,已成為國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代的主力。公司先后獲評(píng)國(guó)家創(chuàng)新人才推進(jìn)計(jì)劃科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才企業(yè)、中國(guó)潛在獨(dú)角獸企業(yè)、江蘇省專(zhuān)精特新小巨人企業(yè)、江蘇省“雙創(chuàng)計(jì)劃”等諸多資質(zhì)榮譽(yù)。2022伊始,聯(lián)訊榮膺“融資中國(guó)2021年度中國(guó)最具成長(zhǎng)性企業(yè)TOP30”,繼續(xù)領(lǐng)跑光通信測(cè)試。
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