SiFotonics 25G APD硅光芯片性能超III-V 獲國際市場認證

　　ICCSZ訊   SiFotonics Technologies，目前國際硅光技術領域領先企業(yè)之一，近期正式發(fā)布25G鍺硅雪崩光電探測器芯片(Ge/Si APD)AP2005，其1310nm靈敏度達到-22.5dBm，為目前業(yè)界25G探測器的最高水平，此性能相繼得到日本頂尖光通信公司驗證，目前已開始小批量出貨。

　　AP2005是SiFotonics采用突破性設計和工藝，結合近十年來的硅光研發(fā)技術積累，在標準的CMOS晶圓制造工廠生產(chǎn)。該款產(chǎn)品克服了上一代產(chǎn)品暗電流偏大、響應度偏低的問題，具備高性能、高產(chǎn)量、支持非氣密封裝等優(yōu)點，顯示出強大的市場競爭力。下圖為AP2005的靈敏度測試結果：

　　Back-to-back sensitivity of Ge/Si APD ROSA

　　(λ=1309.14nm, ER=9dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)

　　此芯片性能明顯超過同等測試條件下的25G PIN(-14dBm左右)及25G III-V InP APD(-21dBm左右)，被客戶證明為目前業(yè)界25G探測器的最高性能。

　　長期以來，高性能的III-V APD器件一直由日本歐美企業(yè)供應，這次25G硅光芯片的極佳性能表現(xiàn)得到了日本頂尖光通信公司的認可和訂單，意義非凡。近十年來，硅光技術一直是光電產(chǎn)業(yè)的技術熱點，很多大公司，如IBM/Intel，均投入大量資源研發(fā)，但其市場占有率一直不理想。硅光器件一直試圖沖破傳統(tǒng)光器件的包圍，找到市場的突破點。SiFotonics 25G硅光APD器件AP2005，在性能上超越傳統(tǒng)材料APD，是硅光技術的重要里程碑。同時，該產(chǎn)品對日益發(fā)展的100G網(wǎng)絡也具有重大意義：在很多場合，特別是日益擴展的數(shù)據(jù)中心需要較長的距離連接，它可以直接取代半導體光放大器(SOA)。25G 硅光 APD可以用于100G ER，100GBASE ER4，100GBASE ER4-lite，長途干線及數(shù)據(jù)中心等應用領域。

　　SiFotonics CEO潘棟博士表示：“基于4x25G的100G應用是未來光通信產(chǎn)業(yè)的海量市場，也是硅光技術目前的主戰(zhàn)場。經(jīng)過近十年的技術積累，我們的硅光芯片在性能上已逐漸追上并超過III-V芯片，在量產(chǎn)能力、可靠性等方面也已經(jīng)過市場驗證。實際上我們的多款硅光探測器芯片已在大量出貨，目前更多的研發(fā)力量已投入到硅光集成芯片上。此次的25G APD只是初露鋒芒，借助硅基技術強大的技術平臺優(yōu)勢，我們不久就會發(fā)布更加激動人心的高度光電集成的100G芯片產(chǎn)品。”