聯(lián)電搶攻8英寸第三代半導(dǎo)體，新機(jī)臺(tái)預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)

  ICC訊  5月9日，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，聯(lián)電晶圓代工成熟制程訂單充裕，毛利率沖高之際，布局當(dāng)紅的第三代半導(dǎo)體也再進(jìn)化，主攻難度更高、經(jīng)濟(jì)效益更好的8英寸晶圓第三代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，近期大舉購(gòu)置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)。

  圖源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

  報(bào)道稱，法人指出，“聯(lián)家軍”出身的大將已在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)第三代半導(dǎo)體搶下一片天。例如聯(lián)電前資深副總經(jīng)理徐建華退休后，轉(zhuǎn)戰(zhàn)漢磊投控，出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長(zhǎng)，并成功帶領(lǐng)漢磊與嘉晶量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。

  另外，聯(lián)電此前第三代半導(dǎo)體布局，主要透過(guò)轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎切入，鎖定6英寸氮化鎵產(chǎn)品，主要考量目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。目前，聯(lián)穎正在進(jìn)行技術(shù)平臺(tái)建置，完成后會(huì)把平臺(tái)開放給設(shè)計(jì)公司客戶使用，擴(kuò)大接單利益基礎(chǔ)。

  供應(yīng)鏈則透露，聯(lián)電近期擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體布局，自行購(gòu)置蝕刻、薄膜新機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)下半年將進(jìn)駐8英寸AB廠，瞄準(zhǔn)8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體的經(jīng)濟(jì)效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向，全力搶第三代半導(dǎo)體商機(jī)。對(duì)此，聯(lián)電財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉啟東回應(yīng)，集團(tuán)在第三代半導(dǎo)體的發(fā)展上，仍以聯(lián)穎為主，聯(lián)電則進(jìn)行研發(fā)，不過(guò)確實(shí)有在合作，但細(xì)節(jié)不便透露。

  業(yè)界分析，第三代半導(dǎo)體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導(dǎo)致晶圓彎曲，鑒于制程難度，目前業(yè)界發(fā)展第三代半導(dǎo)體多以6英寸為主。不過(guò)，6英寸晶圓半徑是5公分，8英寸晶圓半徑則是10公分，所以8英寸相對(duì)6英寸，一片可以產(chǎn)出的芯片量會(huì)“多出很多”，在經(jīng)濟(jì)效益較高的前提下，聯(lián)電選擇切入8英寸第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。