日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)日前開發(fā)成功了一種面向光通信的面發(fā)光半導(dǎo)體激光器,將過去約1.30μm的發(fā)光波長延長到了約1.34μm?!叭绻M(jìn)一步優(yōu)化制造條件,有望將波長延長至1.55μm”(NICT)。如果得以實(shí)現(xiàn),就能夠用價(jià)格非常便宜的面發(fā)光激光器取代過去在光通信領(lǐng)域覆蓋1.3μm~1.55μm范圍的端面發(fā)光激光器。比如,有望降低占FTTH系統(tǒng)鋪設(shè)成本70~80%的光接入設(shè)備的價(jià)格。
光通信半導(dǎo)體激光器目前主要使用端面發(fā)光激光器。不過,由于必須將元件切割成鏡面,因此元件尺寸很難達(dá)到100μm見方以下。而面發(fā)光激光器不需要切割作業(yè),因此可將尺寸降低到10μm見方。因此與端面發(fā)光激光器相比,可大幅降低產(chǎn)品價(jià)格。
通過采用Sb類活性層,延長激光波長業(yè)界過去一直都在大量地進(jìn)行將端面發(fā)光激光器更換成面發(fā)光激光器的研究。只要開發(fā)出波長最大可達(dá)1.55μm的活性層材料,通過將活性層厚度不同的激光器排列起來,就能產(chǎn)生光通信中主要使用的帶寬在1.3μm~1.55μm之間的激光。如果能覆蓋大帶寬,就能以多波長方式發(fā)送更多的光信號。
但是,據(jù)NICT稱絕大多數(shù)面發(fā)光激光器最大波長僅1.30μm左右。原因是沒有可以既產(chǎn)生長波長激光,且光柵常數(shù)(Grating Constant)接近面發(fā)光激光器使用的GaAs玻璃的活性層材料。因此,無法通過使用多波長激光提高數(shù)據(jù)傳輸速度。
NICT此次通過在GaAs底板上形成Sb類活性層,成功實(shí)現(xiàn)了波長更長的激光?!癗TT曾開發(fā)出了可產(chǎn)生1.55μm激光的面發(fā)光激光器,但需要復(fù)雜的工藝將InP底板與GaAs底板粘到一起。而我們的方法只需在GaAs底板上層疊In-Ga-Sb層,不需要粘接等工藝”(NICT)。
此次由于試驗(yàn)使用的是大尺寸元件,因此開始產(chǎn)生激光的電流閥值高達(dá)500mA。今后準(zhǔn)備通過將元件尺寸縮小到約10μm見方,將電流閥值控制到1mA以下。NICT準(zhǔn)備將最大波長提高到1.55μm以后,用3到5年的時(shí)間達(dá)到實(shí)用水平。