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中國臺(tái)灣官員:臺(tái)積電目前被禁止在海外生產(chǎn)2nm芯片

摘要:中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門官員郭智輝近日表示,中國臺(tái)灣的技術(shù)保護(hù)規(guī)則禁止臺(tái)積電在中國臺(tái)灣以外生產(chǎn)2納米芯片,因此該公司必須將其最尖端的技術(shù)留在當(dāng)?shù)亍?

  ICC訊 中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門官員郭智輝近日表示,中國臺(tái)灣的技術(shù)保護(hù)規(guī)則禁止臺(tái)積電在中國臺(tái)灣以外生產(chǎn)2納米芯片,因此該公司必須將其最尖端的技術(shù)留在當(dāng)?shù)亍?

  郭智輝發(fā)表上述言論是為了回應(yīng)人們對(duì)美國前總統(tǒng)特朗普再次當(dāng)選下一任美國總統(tǒng)后,臺(tái)積電可能被迫提前在其亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)先進(jìn)的2納米芯片的擔(dān)憂。

  郭智輝補(bǔ)充道:“盡管臺(tái)積電未來計(jì)劃在海外生產(chǎn)2納米芯片,但其核心技術(shù)仍將留在中國臺(tái)灣。

  中國臺(tái)灣限制芯片制造商在海外生產(chǎn)的芯片至少比其當(dāng)?shù)毓S落后一代。臺(tái)積電7月告訴投資者,其下一代A-16芯片將于2026年下半年投入量產(chǎn),明年將提高2納米芯片的產(chǎn)量。

  根據(jù)臺(tái)積電的海外制造路線圖,該公司計(jì)劃在本十年末在美國生產(chǎn)2納米或更先進(jìn)的芯片,屆時(shí)其位于亞利桑那州的第二座晶圓廠將采用3納米和2納米工藝技術(shù),并于2028年投入運(yùn)營。

  該芯片制造商表示,位于亞利桑那州的第三家晶圓廠將采用2納米甚至更先進(jìn)的工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。

  臺(tái)積電位于亞利桑那州的第一家晶圓廠預(yù)計(jì)將于12月開始生產(chǎn)4納米芯片。

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