日本半導體又一次領(lǐng)先：全球首發(fā)全新晶圓技術(shù)

  ICC訊  在新一代半導體材料中，日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量產(chǎn)了100mm(4英寸)的“氧化鎵”晶圓。

  據(jù)日本媒體報道，Novel Crystal Technology公司由日本電子零部件企業(yè)田村制作所和AGC等出資成立，主要研發(fā)、生產(chǎn)新一代半導體技術(shù)。

  該公司日前量產(chǎn)了以新一代功率半導體材料“氧化鎵”制成的100mm晶圓，這還是全球首次。

  這次量產(chǎn)的新一代晶圓可以使用原有100mm晶圓的設(shè)備制造新一代產(chǎn)品，有效保護了企業(yè)的投資，預(yù)計2021年內(nèi)開始供應(yīng)晶圓。

  據(jù)介紹，氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體，也是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。

  據(jù)市場調(diào)查公司富士經(jīng)濟于2019年6月5日公布的Wide Gap 功率半導體元件的全球市場預(yù)測來看，2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元(約人民幣92.76億元)，這個市場規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模(1085億日元，約人民幣65.1億元)還要大。