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臺(tái)積電2020年資本支出170億美元 今年預(yù)計(jì)將達(dá)200億美元

摘要:臺(tái)積電2020年?duì)I收同比增長(zhǎng)超過(guò)30%,創(chuàng)下歷史新高,同時(shí)資本開支170億美元,也創(chuàng)下歷史新高。

 ICC訊  據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,晶圓代工龍頭臺(tái)積電2020年?duì)I收同比增長(zhǎng)超過(guò)30%,創(chuàng)下歷史新高,同時(shí)資本開支170億美元,也創(chuàng)下歷史新高。預(yù)計(jì)2021年隨著3nm產(chǎn)能建設(shè),以及美國(guó)5nm工廠制造,資本開支將超過(guò)200億美元。

  盡管其大客戶海思半導(dǎo)體2020年下半年遭遇美國(guó)封殺,導(dǎo)致產(chǎn)能空缺,但5G、WiFi 6、人工智能和超算對(duì)高端制程的需求持續(xù)強(qiáng)勁,臺(tái)積電7nm和5nm制程供不應(yīng)求。展望今年,臺(tái)積電高端制程也被訂單排滿。

  根據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃,3nm將于2022年導(dǎo)入量產(chǎn),廠房占地面積為35公頃,潔凈室面積超過(guò)16萬(wàn)平方公尺,大約22座標(biāo)準(zhǔn)足球場(chǎng)大小。到2022年,產(chǎn)能估計(jì)超過(guò)60萬(wàn)片12英寸晶圓,也是全球擁有最多EUV產(chǎn)能的超大型晶圓廠。

  此外,臺(tái)積電5nm制程月產(chǎn)能為5萬(wàn)片,預(yù)計(jì)到今年下半年達(dá)到10萬(wàn)片。

  資料顯示,臺(tái)積電在2016年資本開支首度突破100億美元,達(dá)到102億美元。2018年以來(lái),在7nm等高端制程加持下,臺(tái)積電資本開支連續(xù)創(chuàng)下新高。

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