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緊追臺(tái)積電 三星3nm工藝已量產(chǎn)三款芯片:功耗降低50%

摘要:在3nm節(jié)點(diǎn),三星去年6月份就宣布量產(chǎn),進(jìn)度比臺(tái)積電還快,不過后者拿到了蘋果等大客戶的訂單,三星沒有重量級(jí)客戶,這方面有所不如。

  ICC訊  7月29日消息,在3nm節(jié)點(diǎn),三星去年6月份就宣布量產(chǎn),進(jìn)度比臺(tái)積電還快,不過后者拿到了蘋果等大客戶的訂單,三星沒有重量級(jí)客戶,這方面有所不如。

  在日前的財(cái)報(bào)中,三星表示3nm工藝的良率已經(jīng)穩(wěn)定,代工廠正在順利量產(chǎn)第三款3nm芯片,不過三星沒有透露是為誰代工的。

  日前有傳聞稱AMD也在尋求三星3nm工藝代工,但AMD的官方態(tài)度很模糊,沒有承認(rèn),但也表示確實(shí)在考慮臺(tái)積電以外的晶圓代工伙伴。

  三星的3nm工藝放棄FinFET晶體管技術(shù),直接上了GAA晶體管,技術(shù)很激進(jìn)。

  根據(jù)三星說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%。

  不過三星3nm工藝初期的良率確實(shí)不高,最近才傳聞提升到了60%,比臺(tái)積電的3nm工藝55%的良率要好。

  此外,除了第一代3nm工藝之外,三星還提到第二代3nm工藝及2nm工藝的進(jìn)展良好,很有信心的樣子。

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關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 芯片
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