Eblana和Vitesse合作研究新的激光裝配技術ay

 Eblana 光子公司和Vitesse半導體公司今天宣布達成合作協(xié)議，利用Vitesse的4英寸InP集成電路裝配線來制造低閾值單模激光二極管。

 這兩家公司準備采用已有的InP IC生產設備和工藝來裝配2.5-Gbit/sec，單波長的激光二極管。這些激光器在溫度T= 25°C時，輸出單波長激光，波長λ = 1.54 μ m (micron)，閾值電流為12 mA。發(fā)射功率為20mW 時，其邊模抑制比（SMSR）好于40 dB。

 Vitesse計劃使用其標準的VIP-2 InP HBT工藝，結合Eblana的可再生激光技術平臺來制作激光器。按照這兩家公司的說法，這種激光器的制造工藝具有劃時代的意義，將對通訊行業(yè)產生重大影響:
 
•  短期而言，它可以大幅度降低生產成本，這是因為這種工藝是借助于成熟的電子制造平臺，僅僅利用IC制造工具和工藝，以及相關的工藝控制體制就能完成。
 
•  該技術可實現(xiàn)人們所需的光子集成等級，推動FTTP和GbE在接入和企業(yè)網絡的發(fā)展。

•  長期而言，通過將成熟的InP電路技術和突破性InP激光器技術相結合，則產生出更多新型器件和應用。

 Vitesse的副總裁Ray Milano先生表示：“Eblana通過研制出一種類似DFB性能的，采用標準IC工藝制造的器件解決了激光器制造過程中的一個關鍵問題，另外，由于Eblana的技術平臺僅僅采用標準的電子設計規(guī)則和成熟工藝，那產品的性能和一致性都得到有效保證。這項技術也將對光收發(fā)器的制造產生重大而積極的影響?！?nbsp;

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