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400G相干光器件發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢

摘要:64GBd相干光器件實現(xiàn)400G短距傳輸,處于商用上升期;128GBd相干光器件實現(xiàn)400G長距傳輸,處于商用啟動期。為滿足400G相干光傳輸系統(tǒng)更低成本、更高容量、更長距離的需求,相干光器件將朝著標準化、小型化、高波特率、高性能等技術方向演進。

  密集波分復用技術已進入單波400G相干通信傳輸時代。單波400G有多種調制格式,如64GBd-PM-16QAM、96GBd-PM-16QAM-PS、128GBd-PM-QPSK,調制格式階數(shù)越高,光信噪比要求越高,傳輸距離越短。相干光器件是相干通信的核心器件,包括相干光源和相干收發(fā)器件。相干收發(fā)器件按信號波特率可分為64GBd、96GBd和128GBd幾種。64GBd相干光器件實現(xiàn)單波400G短距傳輸(PM-16QAM),128GBd相干光器件實現(xiàn)單波400G長距傳輸(PM-QPSK)。96GBd被認為是過渡速率,本文將著重介紹64GBd和128GBd相干光器件發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢。

  現(xiàn) 狀

  相干光源包括固定波長激光器波長可調諧激光器。固定波長激光器應用于點到點的短距傳輸系統(tǒng),滿足應用需求的前提下大幅降低成本。波長可調諧激光器應用于密集波分復用系統(tǒng),關鍵指標包括線寬、功率、功耗、調諧范圍、調諧速度,其中128GBd應用有C+L雙波段需求。波長可調諧激光器按原理分外腔激光器和集成激光器,均可以滿足當前商用需求,器件成本很大部分來自于復雜的生產(chǎn)組裝和測試定標。外腔激光器為增益芯片和外腔濾波器芯片的集成,可以單芯片實現(xiàn)雙波段功能;集成激光器需要設計雙波段芯片切換方案。波長可調諧激光器主流采用熱調方案實現(xiàn)波長調諧,調諧時間為百秒量級。波長可調諧激光器的行業(yè)標準為OIF-iTLA實施協(xié)議,封裝尺寸朝小型化方向演進,同時,朝窄線寬(目標100kHz)、高功率(>+16dBm)、低功耗(<3W)、更快調諧時間不斷優(yōu)化。

  相干收發(fā)器件是指包括光芯片、電芯片、承載基板/管殼和其他輔助元件的光電集成器件,實現(xiàn)相干調制和解調功能。相干收發(fā)器件的核心是光芯片,光芯片材料有硅光、磷化銦和薄膜鈮酸鋰等3種,其特性如表1所示。其中,硅光是當前小型化可插拔模塊的主流選擇;薄膜鈮酸鋰屬于新材料和新技術,當前尚未產(chǎn)品化,有望在128GBd時代廣泛應用。

  發(fā)展趨勢

  相干光模塊和光器件的封裝形態(tài)發(fā)展趨勢是標準化,以滿足開放式光網(wǎng)絡中互聯(lián)互通需求,也有利于降低設計和制造成本。低功耗短距離相干光模塊主流封裝標準為QSFP-DD,大功耗長距離高性能相干光模塊主流為CFP2封裝。在標準發(fā)展方面,器件級有分立光器件(ICR/CDM)和收發(fā)集成光器件(IC-TROSA)協(xié)議,以及相干光源iTLA協(xié)議;模塊級有單跨短距離互聯(lián)互通的64GBd-PM-16QAM 400ZR協(xié)議、多跨段互聯(lián)互通的64GBd-PM-16QAM的400G Open ZR+和Open ROADM等MSA(multi source agreement)協(xié)議。

  相干光模塊采用小型化可插拔封裝將成為主流,收發(fā)器件形態(tài)從分立向集成發(fā)展。數(shù)通模塊采用QSFP-DD封裝,電信模塊CFP2封裝成為主流。當前400G相干QSFP-DD模塊可實現(xiàn)硅光器件和單通道EDFA的集成,應用于低功耗的短距離傳輸場景。硅光器件集成DSP芯片,采用微電子封裝技術將是趨勢,也就是光電共封裝技術概念,即光芯片、模擬電芯片和DSP芯片共基板封裝,實現(xiàn)高速信號更優(yōu)的傳輸質量,在高波特率信號傳輸時尤為重要;磷化銦器件集成窄線寬可調諧激光器將是趨勢,中長期內仍將存在分立器件和集成器件兩種形態(tài),高速信號采用柔性電路板接口將是趨勢;長期來看,薄膜鈮酸鋰器件和硅光的異質集成將是趨勢。

  相干400G傳輸從城域短距離向長途傳輸演進,促使相干收發(fā)器件波特率從64GBd邁向128GBd。2022年全球市場64GBd相干光器件約20多萬只,2022年底Omdia預測未來五年相干400G模塊的年復合增長率約為50%。2023年有128GBd相干光模塊的現(xiàn)網(wǎng)試驗報道,預計基于128GBd-PM-QPSK的400G長途傳輸技術即將成熟,2025年將規(guī)模商用。產(chǎn)業(yè)界64GBd相干收發(fā)器件現(xiàn)狀是硅光為主,磷化銦為輔,在128GBd時代將導入薄膜鈮酸鋰材料。

  隨著相干收發(fā)器件速率或帶寬的提升,光電協(xié)同設計成為趨勢,以提高光電性能。相干收發(fā)器件中光芯片、電芯片以及基板/管殼的封裝結構影響高速信號的傳輸質量,一般來說,小型化用BGA非氣密封裝,其他封裝用FPC接口。光器件中電芯片帶寬峰化將是必要功能,通過對光芯片、電芯片(以及DSP芯片)、基板的光電協(xié)同設計來保證光器件整體帶寬的滿足需求。

  總體而言,64GBd相干光器件實現(xiàn)400G短距傳輸,處于商用上升期;128GBd相干光器件實現(xiàn)400G長距傳輸,處于商用啟動期。為滿足400G相干光傳輸系統(tǒng)更低成本、更高容量、更長距離的需求,相干光器件將朝著標準化、小型化、高波特率、高性能等技術方向演進。

  作者:中興光電子 沈百林,王會濤

內容來自:中興通訊技術(簡訊)
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關鍵字: 400G 相干 激光器 波長
文章標題:400G相干光器件發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢
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