長(zhǎng)光華芯2022年?duì)I收3.8億元 VCSEL芯片已通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q102認(rèn)證

  ICC訊 4月18日，蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)光華芯”或“公司”，688048）發(fā)布更正2022年度業(yè)績(jī)快報(bào)。

  2022年，長(zhǎng)光華芯實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入3.86億元，同比下滑9.98%；歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)1.25億元，同比增長(zhǎng)8.5%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)2547.23萬(wàn)元，同比下滑64.81%。長(zhǎng)光華芯日前在公開(kāi)平臺(tái)透露，公司于3月底完成了VCSEL芯片通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí) AEC-Q102 認(rèn)證，具備技術(shù)實(shí)力與量產(chǎn)能力。

  長(zhǎng)光華芯作為太湖光子產(chǎn)業(yè)建設(shè)的骨干公司將推動(dòng)光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。公司的高功率芯片、光通訊芯片、光傳感芯片是光子芯片的大類(lèi)。公司會(huì)發(fā)揮 IDM 平臺(tái)優(yōu)勢(shì)、核心技術(shù)儲(chǔ)備優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)及十年的工藝優(yōu)勢(shì)，在光子芯片領(lǐng)域不斷突破。

  值得注意的是，日前長(zhǎng)光華芯在公開(kāi)平臺(tái)答投資者提到，公司于3月底完成了 VCSEL 芯片通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí) AEC-Q102 認(rèn)證，具備技術(shù)實(shí)力與量產(chǎn)能力。VCSEL 芯片是公司橫向拓展中重要的發(fā)展方向，公司會(huì)持續(xù)投入研發(fā)。VCSEl 可用于多種場(chǎng)景，公司也將配合不同的下游客戶(hù)進(jìn)行研發(fā)升級(jí)與工藝優(yōu)化。

  在量產(chǎn)產(chǎn)品方面，長(zhǎng)光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產(chǎn)品在功率和效率上都處于全球領(lǐng)先。底層技術(shù)平臺(tái)方面，長(zhǎng)光華芯建成了全球唯二、國(guó)內(nèi)唯一的6 吋高功率半導(dǎo)體激光芯片晶圓垂直整合生產(chǎn)線，并在芯片設(shè)計(jì)、關(guān)鍵設(shè)備、工藝技術(shù)和原材料方面實(shí)現(xiàn)自主可控。長(zhǎng)光華芯也在按照II-VI 的路徑進(jìn)行材料技術(shù)平臺(tái)布局，其具備國(guó)內(nèi)首家IDM GaAs 芯片6 吋產(chǎn)線和3 吋InP 產(chǎn)線，正在開(kāi)發(fā)的GaN 產(chǎn)品線有望在2 年內(nèi)產(chǎn)生收入，同時(shí)在SiC 方面積極考慮布局。從工藝上看，外延生長(zhǎng)決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需要長(zhǎng)期工藝經(jīng)驗(yàn)積累，具備較高壁壘，并為長(zhǎng)光華芯向更大功率進(jìn)發(fā)打下基礎(chǔ)。公司百余名研發(fā)人員中有多位國(guó)家級(jí)技術(shù)專(zhuān)家人才及二十余名博士，在本土半導(dǎo)體工藝人才不夠豐沛的前提下，團(tuán)隊(duì)經(jīng)多年培養(yǎng)而成，形成人才壁壘。

  同時(shí)，公司通過(guò)投資、參股、籌備產(chǎn)業(yè)基金的形式借助資本力量持續(xù)發(fā)展，并培育產(chǎn)業(yè)鏈土壤。

  半導(dǎo)體激光器底層多為GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多為設(shè)計(jì)+外延生長(zhǎng)+Fab 制造+封測(cè)，其中外延生長(zhǎng)和Fab 制造能力有望完全復(fù)用，設(shè)計(jì)和封測(cè)環(huán)節(jié)則需進(jìn)一步考慮應(yīng)用產(chǎn)品的情況。對(duì)于長(zhǎng)光華芯而言，在技術(shù)平臺(tái)化后，根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域可以不斷橫向擴(kuò)展芯片產(chǎn)品，從大功率市場(chǎng)走向小功率信號(hào)市場(chǎng)。同時(shí)，在GaN 平臺(tái)開(kāi)發(fā)完成后，可進(jìn)入可見(jiàn)光激光市場(chǎng)及部分無(wú)線通信、電功率芯片市場(chǎng)；未來(lái)利用化合物半導(dǎo)體基礎(chǔ)將SiC 平臺(tái)逐漸開(kāi)發(fā)完成后，則可以進(jìn)軍更大的電功率芯片市場(chǎng)，且能夠與大功率光芯片形成配合，打造成套方案。在優(yōu)勢(shì)的高功率領(lǐng)域則可以深挖打通產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)縱向延伸。如在相對(duì)早期的車(chē)載激光雷達(dá)市場(chǎng)從VCSEL 芯片延伸到模組；在技術(shù)難度較高且市場(chǎng)規(guī)模有限的大功率激光市場(chǎng)，布局該產(chǎn)業(yè)鏈的封測(cè)環(huán)節(jié)，并延伸至器件、模組、甚至激光器整機(jī)等業(yè)務(wù)，并由此形成核心優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)力切入特殊應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)。