ICC訊 近日,在第12屆中國硬科技產業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢峰會上,清純半導體有限公司市場經理詹旭標發(fā)表《車載電驅&供電電源用SiC技術 最新發(fā)展趨勢》報告,SiC(碳化硅)被公認是提升新能源汽車續(xù)航里程的最佳方案,伴隨著新能源汽車銷售急劇增長,SiC正在迎來非常巨大的應用市場,并給予了國產化SiC崛起的機會窗口。
2023年中國新能源汽車銷售達到950萬輛,市場占用有率達到31.6%,預計2024年新能源產銷量將達1200-1300萬輛,市占率超過45%并占全世界產銷售60%。在這個市場發(fā)展過程中,SiC上車速度加快,打造國產SiC車型合計142款,而750V 及 1200V SiC MOSFETs 是主驅應用的主流器件,而器件性能、質量、價格產能成為了主驅大規(guī)模應用必要條件。
SiC為何稱為提升新能源汽車續(xù)航里程的最佳方案?這得益于SiC MOSFET 低導通電阻、低開關損耗的特點,新能源汽車電機控制器有望實現(xiàn)70%的損耗下降,進而增加約5%行駛里程。此外,充電問題是影響消費者購買新能源車的首要因素,而SiC材料可以使得單槍的充電功率向350kW以上發(fā)展,通過高壓快充解決消費者的補能焦慮。
根據相關市場預測,2025年全球SiC市場規(guī)模接近60億美元,年復合增長率預計為 36.7%。目前該市場主要被國外企業(yè)壟斷,top廠商份額合計91.9%。中國SiC產能規(guī)劃(襯底)預計到2026年達到468萬片/年,可滿足3000萬輛新能源車的需求。詹旭標表示,中國已經形成完善的 SiC產業(yè)鏈,各細分行業(yè)均涌現(xiàn)出典型代表,快速縮小與跨國龍頭企業(yè)的差距。在技術距離上,國際SiCMOSFET技術發(fā)展維持3-5年的迭代周期,中國SiC MOSFET器件最新技術目前已經對標國際主流水平,并保持1年1代的節(jié)奏快速迭代。
作為國產SiC代表廠商之一,清純半導體推出第二代1200V SiC MOSFET器件,核心參數(shù)全面對標國際一流水平,包括超低導通電阻芯片、優(yōu)秀的串擾抑制能力、柵極串擾電壓、動態(tài)損耗等方面媲美國外同類產品。目前已經通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性試驗認證。清純半導體采用行業(yè)最全面可靠性測試方法、最嚴苛可靠性要求,實現(xiàn)新能源汽車及工業(yè)應用400萬顆MOSFET零失效的成就。
SiC半導體技術將圍繞材料、器件和工藝三個方面迭代發(fā)展,包括大尺寸低缺陷SiC襯底及外延制備,基于先進SiC材料生長和工藝技術的新型SiC器件以及面向下一代SiC器件的制造及封裝工藝。在產業(yè)趨勢上,在完成SiC 半導體技術創(chuàng)新及市場教育后,國際競爭焦點逐步從技術研發(fā)轉移到大規(guī)模量產,而依托巨大的應用市場和高效產能提升,中國有望主導全球SiC半導體產業(yè)。
新聞來源:訊石光通訊網
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