GaN HEMT器件測(cè)試影響因素探究及SMU高性能表征方案

  氮化鎵的發(fā)展與前景

  5G、6G、衛(wèi)星通信、微波雷達(dá)將帶來(lái)半導(dǎo)體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的射頻器件。與Si基半導(dǎo)體相比，作為第三代半導(dǎo)體的代表，GaN具有更高電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)將逐步凸顯。正是這一優(yōu)勢(shì)，以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料和器件因優(yōu)良的高溫高壓及高頻特性，被認(rèn)為是電力電子和微波射頻技術(shù)的核心。

  隨著GaN技術(shù)的日趨成熟，國(guó)外開(kāi)始將GaN功率器件向太空應(yīng)用擴(kuò)展，充分發(fā)揮寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的GaN器件的固有優(yōu)勢(shì)，制成重量更輕、功能更強(qiáng)大的太空應(yīng)用的電子設(shè)備。根據(jù)Yole Development 的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2020年全球GaN功率市場(chǎng)規(guī)模約為4600萬(wàn)美元，預(yù)計(jì)2026年可達(dá)11億美元，2020-2026年CAGR有望達(dá)到70%。從國(guó)內(nèi)看，GaN是目前能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻、高效、大功率的代表性器件，是支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心部件，有助于“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)，推動(dòng)綠色低碳發(fā)展，在5G基站、新能源充電樁等新基建代表中均有所應(yīng)用。隨著國(guó)家政策的推動(dòng)和市場(chǎng)的需求，GaN器件在“快充”場(chǎng)景引領(lǐng)下，有望隨中國(guó)經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇和消費(fèi)電子巨大的存量市場(chǎng)而不斷破圈。未來(lái)，隨著新基建、新能源、新消費(fèi)等領(lǐng)域的持續(xù)推進(jìn)，GaN器件在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的應(yīng)用必將呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

圖：不同材料半導(dǎo)體器件的應(yīng)用

圖：不同種類半導(dǎo)體材料特性對(duì)比

  氮化鎵器件工作原理

  典型的GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)如下圖所示，從上往下依次分別為：柵極、源極、漏極端子、介電層、勢(shì)壘層、緩沖層、以及襯底，并在AlGaN / GaN的接觸面形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。由于AlGaN材料具有比GaN材料更寬的帶隙，在到達(dá)平衡時(shí)，異質(zhì)結(jié)界面交界處能帶發(fā)生彎曲，造成導(dǎo)帶和價(jià)帶的不連續(xù)，并形成一個(gè)三角形的勢(shì)阱。大量的電子積聚在三角形勢(shì)阱中，難以逾越至勢(shì)阱外，電子的橫向運(yùn)動(dòng)被限制在這個(gè)界面的薄層中，這個(gè)薄層被稱之為二維電子氣(2DEG)。

  當(dāng)在器件的漏、源兩端施加電壓VDS，溝道內(nèi)產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。在橫向電場(chǎng)作用下，二維電子氣沿異質(zhì)結(jié)界面進(jìn)行傳輸，形成輸出電流IDS。將柵極與AlGaN勢(shì)壘層進(jìn)行肖特基接觸，通過(guò)施加不同大小的柵極電壓VGS，來(lái)控制AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中勢(shì)阱的深度，改變溝道中二維電子氣密度，從而控制溝道內(nèi)的漏極輸出電流開(kāi)啟與關(guān)斷。二維電子氣在漏、源極施加電壓時(shí)可以有效地傳導(dǎo)電子，具有很高的電子遷移率和導(dǎo)電性，這是GaN器件能夠具有優(yōu)越性能的基礎(chǔ)。

圖：氮化鎵器件結(jié)構(gòu)

圖：氮化鎵射頻器件外觀(來(lái)源：qorvo)

  氮化鎵器件的應(yīng)用挑戰(zhàn)

  在射頻功放系統(tǒng)中，功率開(kāi)關(guān)器件往往需要耐受長(zhǎng)時(shí)間高壓應(yīng)力，對(duì)于GaN HEMT而言其優(yōu)異的耐高壓能力和極快的開(kāi)關(guān)速度可以將同等電壓級(jí)別的電源系統(tǒng)推向更高的頻率。但是在高壓應(yīng)用下一個(gè)嚴(yán)重限制GaN HEMT性能的問(wèn)題就是電流崩塌現(xiàn)象(Current Collapse)。電流崩塌又稱作動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻退化，即器件直流測(cè)試時(shí)，受到強(qiáng)電場(chǎng)的反復(fù)沖擊后，飽和電流與最大跨導(dǎo)都呈現(xiàn)下降，閾值電壓和導(dǎo)通電阻出現(xiàn)上升的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。此時(shí)，需采用脈沖測(cè)試的方式，以獲取器件在脈沖工作模式下的真實(shí)運(yùn)行狀態(tài)?？蒲袑用妫苍隍?yàn)證脈寬對(duì)電流輸出能力的影響，脈寬測(cè)試范圍覆蓋0.5μs~5ms級(jí)別，10%占空比。

  (圖片來(lái)源：《AlGaN/GaN HEMT器件電學(xué)特性與可靠性研究》.何江)

  另外，由于GaN HEMT器件高功率密度和比較大的擊穿電場(chǎng)的特性，使得該器件可以在大電流大電場(chǎng)下工作。GaN HEMT工作時(shí)，本身會(huì)產(chǎn)生一定的功率耗散，而這部分功率耗散將會(huì)在器件內(nèi)部出現(xiàn)“自熱效應(yīng)”。在器件的I-V測(cè)試中，隨著Vds的不斷增大，器件漏源電流Ids也隨之上升，而當(dāng)器件達(dá)到飽和區(qū)時(shí)Ids呈現(xiàn)飽和狀態(tài)，隨著Vds的增大而不再增加。此時(shí)，隨著Vds的繼續(xù)上升，器件出現(xiàn)嚴(yán)重的自熱效應(yīng)，導(dǎo)致飽和電流隨著Vds的上升反而出現(xiàn)下降的情況，在嚴(yán)重的情況下不僅會(huì)使器件性能出現(xiàn)大幅度的下降，還可能導(dǎo)致器件柵極金屬損壞、器件失效等一系列不可逆的問(wèn)題，必須采用脈沖測(cè)試。

(圖片來(lái)源：《高速電子遷移率晶體管器件電流坍塌效應(yīng)與界面熱阻和溫度的研究》.顧江、王強(qiáng)、魯宏)

  普賽斯GaN HEMT器件高性能表征方案

  GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(I-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs(th)為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器件的驅(qū)動(dòng)電路具有重要的指導(dǎo)意義。

  靜態(tài)測(cè)試方法，一般是在器件對(duì)應(yīng)的端子上加載電壓或者電流，并測(cè)試其對(duì)應(yīng)參數(shù)。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負(fù)壓。常見(jiàn)的靜態(tài)測(cè)試參數(shù)有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)、電流坍塌效應(yīng)測(cè)試等。

圖：GaN 輸出特性曲線(來(lái)源：Gan systems)

圖：GaN導(dǎo)通電阻曲線(來(lái)源：Gan systems)

  V(BL)DSS擊穿電壓測(cè)試

  擊穿電壓，即器件源漏兩端所能承受的額定最大電壓。對(duì)于電路設(shè)計(jì)者而言，在選擇器件時(shí)，往往需要預(yù)留一定的余量，以保證器件能承受整個(gè)回路中可能出現(xiàn)的浪涌電壓。其測(cè)試方法為，將器件的柵極-源極短接，在額定的漏電流條件下(對(duì)于GaN，一般為μA級(jí)別)測(cè)試器件的電壓值。

  Vgsth閾值電壓測(cè)試

  閾值電壓，是使器件源漏電流導(dǎo)通時(shí)，柵極所施加的最小開(kāi)啟電壓。與硅基器件不同，GaN器件的閾值電壓一般較低的正值，甚至為負(fù)值。因此，這就對(duì)器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)提出了新的挑戰(zhàn)。過(guò)去在硅基器件的驅(qū)動(dòng)，并不能直接用于GaN器件。如何準(zhǔn)確的獲取手頭上GaN器件的閾值電壓，對(duì)于研發(fā)人員設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，至關(guān)重要。

  IDS導(dǎo)通電流測(cè)試

  導(dǎo)通電流，指GaN器件在開(kāi)啟狀態(tài)下，源漏兩端所能通過(guò)的額定最大電流值。不過(guò)值得注意的是，電流在通過(guò)器件時(shí)，會(huì)產(chǎn)生熱量。電流較小時(shí)，器件產(chǎn)生的熱量小，通過(guò)自身散熱或者外部散熱，器件溫度總體變化值較小，對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響也可以基本忽略。但當(dāng)通過(guò)大電流，器件產(chǎn)生的熱量大，難以通過(guò)自身或者借助外部快速散熱。此時(shí)，會(huì)導(dǎo)致器件溫度的大幅上升，使得測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生偏差，甚至燒毀器件。因此，在測(cè)試導(dǎo)通電流時(shí)，采用快速脈沖式電流的測(cè)試手段，正逐漸成為新的替代方法。

  電流坍塌測(cè)試(導(dǎo)通電阻)

  電流崩塌效應(yīng)，在器件具體參數(shù)上表現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻。GaN 器件在關(guān)斷狀態(tài)承受漏源極高電壓，當(dāng)切換到開(kāi)通狀態(tài)時(shí)，導(dǎo)通電阻暫時(shí)增加、最大漏極電流減小;在不同條件下，導(dǎo)通電阻呈現(xiàn)出一定規(guī)律的動(dòng)態(tài)變化。該現(xiàn)象即為動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻。

  測(cè)試過(guò)程為：首先，柵極使用P系列脈沖源表，關(guān)閉器件;同時(shí)，使用E系列高壓源測(cè)單元，在源極和漏極間施加高壓。在移除高壓之后，柵極使用P系列脈沖源表，快速導(dǎo)通器件的同時(shí)，源極和漏極之間采用HCPL高脈沖電流源加載高速脈沖電流，測(cè)量導(dǎo)通電阻。可多次重復(fù)該過(guò)程，持續(xù)觀察器件的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻變化情況。

圖：導(dǎo)通電阻測(cè)試示意圖

  自熱效應(yīng)測(cè)試

  在脈沖I-V 測(cè)試時(shí)，在每個(gè)脈沖周期，器件的柵極和漏極首先被偏置在靜態(tài)點(diǎn)(VgsQ, VdsQ)進(jìn)行陷阱填充，在此期間，器件中的陷阱被電子填充，然后偏置電壓從靜態(tài)偏置點(diǎn)跳到測(cè)試點(diǎn)(Vgs, Vds)，被俘獲的電子隨著時(shí)間的推移得到釋放，從而得到被測(cè)器件的脈沖I-V 特性曲線。當(dāng)器件處于長(zhǎng)時(shí)間的脈沖電壓下，其熱效應(yīng)增大，導(dǎo)致器件電流崩塌率增加，需要測(cè)試設(shè)備具有快速脈沖測(cè)試的能力。具體測(cè)試過(guò)程為，使用普賽斯CP系列脈沖恒壓源，在器件柵極-源極、源極-漏極，分別加載高速脈沖電壓信號(hào)，同時(shí)測(cè)試源極-漏極的電流?？赏ㄟ^(guò)設(shè)置不同的電壓以及脈寬，觀察器件在不同實(shí)驗(yàn)條件下的脈沖電流輸出能力。

圖：脈沖測(cè)試連接示意圖

  對(duì)于應(yīng)用在射頻場(chǎng)景下的氮化鎵器件，如PA器件或者模組，除了測(cè)試靜態(tài)參數(shù)外，也要對(duì)其在射頻應(yīng)用下的性能進(jìn)行表征。常見(jiàn)的射頻測(cè)試手段有小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試、Load-pull測(cè)試等。此外，由于氮化鎵器件存在電流崩塌現(xiàn)象，有專業(yè)研究指出，氮化鎵在直流與脈沖的測(cè)試條件下，會(huì)呈現(xiàn)出不同的射頻放大特性。因此，脈沖式的小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試，Load-Pull測(cè)試方案正逐漸引起研究人員的關(guān)注。

圖：GaN RF 效率與頻率的關(guān)系(來(lái)源：qorvo)

圖：GaN RF Load-pull測(cè)試曲線(來(lái)源：qorvo)

  基于高性能數(shù)字源表SMU的氮化鎵器件表征設(shè)備推薦

  SMU，即源測(cè)量單元，是一種用于半導(dǎo)體材料，以及器件測(cè)試高性能儀表。與傳統(tǒng)的萬(wàn)用表，以及電流源相比，SMU集電壓源、電流源、電壓表、電流表以及電子負(fù)載等多種功能于一體。此外，SMU還具有多量程，四象限，二線制/四線制測(cè)試等多種特性。一直以來(lái)，SMU在半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)研發(fā)設(shè)計(jì)，生產(chǎn)流程得到了廣泛應(yīng)用。同樣，對(duì)于氮化鎵的測(cè)試，高性能SMU產(chǎn)品也是必不可少的工具。

  普賽斯P系列高精度臺(tái)式脈沖源表

  針對(duì)氮化鎵直流低壓參數(shù)的測(cè)量，建議選用P系列高精度臺(tái)式脈沖源表。P系列脈沖源表是普賽斯在經(jīng)典S系列直流源表的基礎(chǔ)上打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最大脈沖輸出電流達(dá)10A，支持四象限工作，被廣泛應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。產(chǎn)品可應(yīng)用于GaN的閾值電壓，跨導(dǎo)測(cè)試等場(chǎng)合。

  - 脈沖直流，簡(jiǎn)單易用

  - 范圍廣，高至300V低至1pA

  - 最小脈沖寬度200μs

  - 準(zhǔn)確度為0.1%

  普賽斯E系列高壓源測(cè)單元

  針對(duì)高壓模式的測(cè)量，普賽斯儀表推出的E系列高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)、輸出及測(cè)量電流0-100mA等特點(diǎn)。產(chǎn)品可以同步電流測(cè)量，支持恒壓恒流工作模式，同事支持豐富的IV掃描模式。產(chǎn)品可應(yīng)用于功率型高壓GaN的擊穿電壓，高壓漏電流測(cè)試，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

  - ms級(jí)上升沿和下降沿

  - 單臺(tái)最大3500V電壓輸出(可擴(kuò)展10kV)

  - 測(cè)量電流低至1nA

  - 準(zhǔn)確度為0.1%

  普賽斯HCPL系列大電流脈沖電流源

  對(duì)于GaN高速脈沖式大電流測(cè)試場(chǎng)景，可采用普賽斯HCPL系列高電流脈沖電源。產(chǎn)品具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(典型時(shí)間15μs)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)以及支持輸出極性切換等特點(diǎn)。產(chǎn)品可應(yīng)用于GaN的導(dǎo)通電流，導(dǎo)通電阻，跨導(dǎo)測(cè)試等場(chǎng)合。

  - 輸出電流達(dá)1000A

  - 多臺(tái)并聯(lián)可達(dá)6000A

  - 50μs-500μs的脈沖寬度可調(diào)

  - 脈沖邊沿陡(典型時(shí)間15us)

  - 兩路同步測(cè)量電壓(0.3mV-18V)

  普賽斯CP系列脈沖恒壓源

  對(duì)于GaN電流自熱效應(yīng)測(cè)試場(chǎng)景，可采用普賽斯CP系列脈沖恒壓源。產(chǎn)品具有脈沖電流大(最高可至10A);脈沖寬度窄(最小可低至100ns);支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式等特點(diǎn)。產(chǎn)品可應(yīng)用于GaN的自熱效應(yīng)，脈沖S參數(shù)測(cè)試等場(chǎng)合。

  - 直流/脈沖兩種電壓輸出模式

  - 大脈沖電流，最高可至10A

  - 超窄脈寬，低至100ns

  - 插卡式設(shè)計(jì)，1CH/插卡，最高支持10通道

  武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子股份有限公司的全資子公司，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

  未來(lái)，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案，以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。