ICCSZ訊 近日在美國舊金山舉辦的“2016 IEEE國際電子器件會議”(IEDM)上,德國高性能微電子創(chuàng)新研究所(IHP)的Bernd Heinemann博士展示了其SiGe異質(zhì)結(jié)(SiGe HBT)晶體管。
該SiGe HBT的fT/fmax為505GHz/720GHz的,工作電壓為1.6V,門延遲僅為1.34ps。該器件速度參數(shù)為硅晶體管設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)。該fmax值已超過當(dāng)前產(chǎn)品最佳fmax值的50%。這種SiGe HBT晶體管能夠使有線和無線系統(tǒng)的數(shù)據(jù)速率達(dá)到100 Gb/s以上。
研究人員將這種超高性能歸因于三個因素:
(1)優(yōu)化的發(fā)射極-基極-集電極區(qū)域垂直剖面;
(2)使用“瞬間”退火和低溫后端處理,以降低基極和發(fā)射極電阻;
(3)橫向器件尺寸縮小。
左圖為透射電子顯微鏡下的最新SiGe:C HBT。右圖中的曲線分別為該SiGe HBT瞬時頻率和最高振蕩頻率。
圖 該SiGe HBT工作頻率在電磁頻譜中所處的位置
應(yīng)用領(lǐng)域
使用這種高速HBT的雷達(dá)系統(tǒng),如私人汽車,可以降低雷達(dá)系統(tǒng)功耗或提高距離和空間分辨率,實(shí)現(xiàn)性能提升。
這種高速SiGe HBT與當(dāng)前的硅工藝兼容,具有很高的成本效益,其潛在應(yīng)用領(lǐng)域包括0.3~1THz頻率范圍的圖像處理,如安全檢查、醫(yī)學(xué)活組織檢查、空氣污染檢測等。
意義
通常HBT由III-V半導(dǎo)體材料制成,因?yàn)镮II-V材料具有比硅更高的電子遷移率,但是III-V HBT很難與硅技術(shù)兼容。而硅器件的工作電壓更低,在電池供電領(lǐng)域應(yīng)用更具吸引力。
該研究成果為歐盟資助的“DOTSEVEN”項(xiàng)目所屬。DOTSEVEN項(xiàng)目是德國英飛凌公司與其他13個合作伙伴共同承研,涉及6個國家,為時4年,主要目標(biāo)是開發(fā)出振蕩頻率達(dá)到0.7THz的SiGe HBT。
DOTSEVEN項(xiàng)目簡介
DOTSEVEN項(xiàng)目由歐盟FP7計(jì)劃資助,為期4年,2012年10月啟動,2016年9月結(jié)束。
合作成員共14個,涉及6個國家。
(1)產(chǎn)業(yè)界成員包括:德國英飛凌、奧地利集成電路研發(fā)公司DICE GmbH & Co KG和法國行政與財(cái)務(wù)管理公司ALMAcg。
(2)中小型企業(yè)包括:法國半導(dǎo)體軟件公司XMOD、瑞典微波器件研制公司Sivers IMA、瑞典高速數(shù)據(jù)通信公司Trebax AB。
(3)高校和研究機(jī)構(gòu)包括:意大利那不勒斯大學(xué)電氣與信息技術(shù)工程學(xué)院、德國亞琛工業(yè)大學(xué)、德國德累斯頓工業(yè)大學(xué)、法國波爾多大學(xué)、德國烏帕塔爾大學(xué)、奧地利林茨約翰·開普勒大學(xué)、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)和德國高性能微電子創(chuàng)新研究所。
DOTSEVEN項(xiàng)目目標(biāo):
(1)實(shí)現(xiàn)室溫下,SiGeC HBT最大頻率達(dá)到0.7THz;
(2)運(yùn)用研制出的HBT設(shè)計(jì)和演示集成的毫米波和亞毫米波電路;
(3)評估、理解和建模模擬這些高速器件和電路中發(fā)生的物理效應(yīng)。
高性能微電子創(chuàng)新研究所簡介
德國高性能微電子創(chuàng)新研究所(IHP)主要從事硅基系統(tǒng)、高頻集成電路、無線寬帶通信技術(shù)的研發(fā)。應(yīng)用領(lǐng)域包括航空航天、遠(yuǎn)程醫(yī)療和汽車行業(yè)等。IHP目前已發(fā)展成為國際公認(rèn)的SiGe技術(shù)研發(fā)中心。
新聞來源:大國重器
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