ICC訊 CIOE 2024期間,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱國科光芯)重點展出基于氮化硅(SiN)技術(shù)開發(fā)的800G/1.6T 薄膜鈮酸鋰(TFLN)與SiN異質(zhì)集成的硅光芯片,獲得業(yè)界客戶和現(xiàn)場觀眾廣泛討論和關(guān)注。
在CIOE展會現(xiàn)場,國科光芯聯(lián)合CTO及數(shù)通事業(yè)部CEO朱宇博士現(xiàn)場接受了訊石光通訊網(wǎng)的采訪,和我們分享了公司多年的核心技術(shù)積累成果,以及在光通信業(yè)務(wù)上的產(chǎn)品布局與技術(shù)亮點。
國科光芯聯(lián)合CTO及數(shù)通事業(yè)部CEO朱宇博士(中)接受訊石網(wǎng)采訪
本次國科光芯在光通信應(yīng)用展臺重點展出800G DR8, 800G 2×FR4, 1.6T DR8等基于TFLN/SiN異質(zhì)集成技術(shù)的系列硅光芯片產(chǎn)品。針對硅光異質(zhì)集成的技術(shù)優(yōu)勢,朱宇博士也向我們做了詳細(xì)的介紹。朱宇博士認(rèn)為,衡量一款產(chǎn)品的市場競爭力,除了產(chǎn)品方案本身的性能優(yōu)越外,更為重要的是,產(chǎn)品的可量產(chǎn)性以及技術(shù)路線的可持續(xù)性。尤其是在競爭激烈的光通信市場和需要產(chǎn)品快速迭代的AI應(yīng)用場景下。
首先,從方案技術(shù)性能來看,相對于傳統(tǒng)的硅光技術(shù),基于氮化硅材料的硅光技術(shù)不僅具備低損耗、寬光譜、大光功率等眾多單項優(yōu)勢,同時作為一個強兼容性的平臺型技術(shù),更易于實現(xiàn)異質(zhì)集成。國際權(quán)威研究機構(gòu)的多項研究成果表示,可以在氮化硅平臺基礎(chǔ)上高效地把鈮酸鋰(LiNbO?)、磷化銦(InP)、銦鎵砷(InGaAs)等材料進(jìn)行混合集成或異質(zhì)異構(gòu)集成。因此,國科光芯基于多年在氮化硅技術(shù)上深耕的成果,搭建了氮化硅(SiN)+薄膜鈮酸鋰(TFLN)的異質(zhì)集成技術(shù)平臺,一方面,充分發(fā)揮氮化硅作為光波導(dǎo)介質(zhì)的高透光性,同時,基于薄膜鈮酸鋰材料的高光電帶寬等性能優(yōu)勢,能夠?qū)崿F(xiàn)200Gbps/lane及更高速率應(yīng)用的需求。同時也具有高線性度及低插損等優(yōu)勢特點。
在產(chǎn)品量產(chǎn)能力上看,雖然薄膜鈮酸鋰具備諸多的性能優(yōu)勢特點,但是由于其材料特性并不兼容CMOS工藝,晶圓級刻蝕工藝還不夠成熟,所以純薄膜鈮酸鋰技術(shù)方案在量產(chǎn)上具有較大挑戰(zhàn)。國科光芯的異質(zhì)集成方案是在氮化硅芯片上完成光波導(dǎo)刻蝕,基于層間耦合技術(shù),無需對薄膜鈮酸鋰材料進(jìn)行流片加工,直接鍵合集成薄膜鈮酸鋰材料,形成復(fù)合波導(dǎo)實現(xiàn)高速調(diào)制。因此,能夠兼容CMOS流片工藝,并憑借國科光芯8英寸的氮化硅量產(chǎn)平臺,使得其產(chǎn)品具備低成本和可量產(chǎn)性。
從技術(shù)方案的可持續(xù)發(fā)展性來看,異質(zhì)集成芯片依靠薄膜鈮酸鋰高調(diào)制帶寬的特性,未來可擴展至單通道400Gbps,應(yīng)用于3.2T及以上光互聯(lián),目前已與產(chǎn)業(yè)鏈核心光通信客戶開展業(yè)務(wù)合作。
TFLN/SiN異質(zhì)集成芯片結(jié)構(gòu)示意圖
目前行業(yè)內(nèi),實現(xiàn)單通道200Gbps的技術(shù)路線主要有III-V(EML)、SOI硅光、純薄膜鈮酸鋰(TFLN)以及TFLN與SiN或SOI異質(zhì)集成四種技術(shù)路線。訊石也就此問題采訪了朱宇博士,朱博根據(jù)目前各技術(shù)路線的發(fā)展及應(yīng)用情況做了具體的介紹。目前EML作為單通道100Gbps的主流方案,產(chǎn)業(yè)鏈最為成熟穩(wěn)定,例如,博通和三菱已經(jīng)在今年逐步啟動200G EML芯片的量產(chǎn)和批量交付。但是,EML芯片工藝難度大,成本高,基本上受到海外大廠的壟斷。相比之下,SOI硅光方案經(jīng)過多年的發(fā)展,可以看到其市場占有率在不斷提升,硅光芯片兼容CMOS工藝,成本低、集成度高,目前商用Foundry成熟,國內(nèi)的硅光芯片公司在100G/lane時代已經(jīng)實現(xiàn)了批量出貨。在下一代200G/lane,SOI硅光通過優(yōu)化驅(qū)動方式來解決硅調(diào)制器帶寬受限(<50GHz)的問題,但良率以及面向更高速率的應(yīng)用具有一定的挑戰(zhàn)性。反觀純薄膜鈮酸鋰技術(shù)路線,其最大的優(yōu)勢是調(diào)制器性能優(yōu)異,帶寬高。但目前量產(chǎn)工藝具備一定挑戰(zhàn)性。國科光芯的TFLN/SiN異質(zhì)集成技術(shù),對薄膜鈮酸鋰材料的利用率高。同時由于其高帶寬特性,產(chǎn)品迭代投入較小,成本優(yōu)勢在200G/lane較100G/lane更為明顯。當(dāng)然對于異質(zhì)集成技術(shù)所帶來的新的工藝要求,也需要團(tuán)隊不斷地提升與優(yōu)化??偠灾?,朱博認(rèn)為,每個技術(shù)路線都有其自身的優(yōu)點和挑戰(zhàn)性,相信大家的最終目標(biāo)都是為了給行業(yè)和客戶提供高性能與低成本兼顧的解決方案。
AI算力需求的驅(qū)動下,據(jù)高盛研究報告預(yù)測,2025年全年800G光模塊總需求量將超過千萬只,1.6T 光模塊需求量將達(dá)到百萬只。相信快速增長的市場需求對于產(chǎn)業(yè)鏈上掌握核心技術(shù)的相關(guān)公司,都將是巨大的機會和挑戰(zhàn)。國科光芯依靠多年的技術(shù)積累和沉淀,厚積薄發(fā),努力為客戶提供強大的市場競爭力,為行業(yè)提供更有價值的產(chǎn)品和技術(shù)方案,助力高速光互聯(lián)的發(fā)展。
氮化硅硅光芯片量產(chǎn)流片良率分布
國科光芯創(chuàng)立于2019年4月,總部位于浙江海寧,是一家集材料工藝、芯片設(shè)計、集成封裝、光電子器件、應(yīng)用算法、系統(tǒng)集成等綜合能力為一體的國家高新技術(shù)企業(yè),致力于成為全球領(lǐng)先硅光芯片技術(shù)及整體解決方案公司。得益于團(tuán)隊多年的研發(fā)經(jīng)驗和技術(shù)積累,公司于2023年具備了8英寸低損耗氮化硅量產(chǎn)能力,實現(xiàn)傳輸損耗0.1dB/cm,工藝良率超95%。成為國內(nèi)為數(shù)不多具備完整工藝量產(chǎn)能力的氮化硅芯片技術(shù)平臺。
新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)