新品推介 | 聯(lián)訊儀器12通道PXIe SMU，1μV/1pA極小分辨率，探索高密度測(cè)量新邊界

探索高密度測(cè)量新邊界

  在今天半導(dǎo)體工藝不斷迭代與新能源迅猛發(fā)展的時(shí)代背景下，測(cè)試設(shè)備的精度與效率已成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與突破的關(guān)鍵性因素。聯(lián)訊儀器PXIe SMU 12通道精密源表模塊全新升級(jí)，以1μV/1pA極小分辨率與1MS/s采樣率重新劃定了高密度集成與高動(dòng)態(tài)響應(yīng)場(chǎng)景下的測(cè)試極限，為光通信、半導(dǎo)體行業(yè)升級(jí)注入了強(qiáng)勁的創(chuàng)新動(dòng)能。

  性能升級(jí)

  為何它讓行業(yè)沸騰?

  分辨率高達(dá)1μV/1pA

  電壓和電流的測(cè)量分辨率分別高達(dá)1μV和1pA，能夠精確捕捉nA級(jí)漏電流、超低功耗器件的“呼吸級(jí)”信號(hào)波動(dòng)。

  12通道獨(dú)立/同步控制

  支持多通道并行測(cè)試，可同時(shí)完成多顆器件或芯片的IV特性掃描，大幅提升測(cè)試效率!

 

  1MS/s高速測(cè)量

  12通道均可支持最高1MS/s采樣率，瞬態(tài)信號(hào)無(wú)遺漏，毫秒級(jí)響應(yīng)精準(zhǔn)記錄。

  10V/50mA寬動(dòng)態(tài)覆蓋

  從微瓦級(jí)物聯(lián)網(wǎng)芯片到高密度集成電路，一卡滿足多樣化電壓電流測(cè)試場(chǎng)景，告別設(shè)備頻繁切換!

直流IV輸出能力

  模塊化靈活擴(kuò)展

  基于PXIe平臺(tái)，可與多種類型、多型號(hào)PXIe板卡無(wú)縫集成，構(gòu)建全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)。多張板卡堆疊使用可搭建上百通道源表測(cè)試系統(tǒng)。

  全棧自動(dòng)化支持

  采用標(biāo)準(zhǔn)SCPI進(jìn)行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語(yǔ)言控制，無(wú)縫融入現(xiàn)有測(cè)試平臺(tái)。

  應(yīng)用場(chǎng)景

  誰(shuí)將因它而蛻變?

硅光晶圓多探針同步測(cè)試

  硅光晶圓測(cè)試：破解高集成芯片的暗電流難題

  在硅光芯片制造中，nA級(jí)暗電流的精準(zhǔn)測(cè)量直接決定器件性能與良率。

  S2014C憑借1pA分辨率，可穩(wěn)定捕捉超低暗電流信號(hào)，搭配12通道并行架構(gòu)，支持晶圓級(jí)多探針同步測(cè)試，實(shí)現(xiàn)硅光器件漏電流、響應(yīng)度等參數(shù)的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達(dá)芯片提供可靠性保障!

  電池研發(fā)與質(zhì)檢：從材料到Pack的全周期賦能

  新能源電池的充放電曲線、循環(huán)壽命等關(guān)鍵指標(biāo)依賴高精度SMU模塊。

  1MS/s采樣率可實(shí)時(shí)捕獲電池極化、內(nèi)阻瞬變等微觀現(xiàn)象。

  多通道實(shí)現(xiàn)電芯模組自放電測(cè)試，大幅縮短BMS驗(yàn)證周期。

多通道實(shí)現(xiàn)電芯模組自放電測(cè)試

  結(jié)語(yǔ)

  S2014C以高精度與微弱信號(hào)測(cè)試為核心優(yōu)勢(shì)，能夠精準(zhǔn)捕捉毫伏級(jí)甚至微伏級(jí)的信號(hào)變化，為科研與工業(yè)應(yīng)用提供可靠的數(shù)據(jù)支持。無(wú)論是復(fù)雜的測(cè)試場(chǎng)景還是嚴(yán)苛的測(cè)量需求，它都能以卓越的性能和穩(wěn)定性，滿足多樣化測(cè)試需求。