超高帶寬的動態(tài)隨機(jī)存儲器問世

  ICC訊 韓國SK海力士日前宣布，該公司開發(fā)成功HBM3動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），每秒能夠處理819GB的數(shù)據(jù)，內(nèi)置ECC校檢。

  該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業(yè)界目前最大容量。在24GB產(chǎn)品中，單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm，使用TSV技術(shù)垂直連接12個芯片。

  HBM3被稱為第四代HBM，由多個垂直連接的DRAM芯片堆疊而成，能夠創(chuàng)新性地提高內(nèi)存帶寬。

  SK海力士2020年7月在業(yè)界最先開始量產(chǎn)HBM2DRAM。SK海力士強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)鞏固高端存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)力，提供符合ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經(jīng)營理念的產(chǎn)品，盡最大努力提高客戶價值。

圖為HBM3DRAM產(chǎn)品封裝。

（SK海力士提供）