消息稱英偉達已試水三星3nm GAA工藝，最快2025年量產(chǎn)

  ICC訊  根據(jù)行業(yè)人士 @手機晶片達人 爆料，英偉達已經(jīng)跟三星就 3nm GAA 工藝制程進行了接洽，如果一切順利則預定在 2025 年進行量產(chǎn)。

  Hardwaretimes 此前也曾有過報道，下一代英偉達旗艦顯卡 RTX 5090 將使用 3nm 工藝，預計將在明年年底推出。

  英偉達 RTX 40 系顯卡代號為 Ada Lovelace，而下一代 RTX 顯卡的代號為 Blackwell，其晶體管數(shù)量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm2，核心時鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達到 512 bits。

  根據(jù)早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個 CUDA(假設(shè)每組 SM 還是 128 個 CUDA)，比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級緩存，匹配 GDDR7 顯存(384bit 位寬)，支持 PCIe 5.0 x16。

  微星此前在臺北 Computex 電腦展上也一并展示了下一代英偉達 RTX 旗艦顯卡的散熱設(shè)計。

  由圖可見，微星使用了動態(tài)雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質(zhì)鰭片中也嵌入了銅片，進一步增強散熱，而顯存區(qū)域也有對應的銅片，這說明不出意外的話下一代顯卡將針對散熱進行著重設(shè)計。

  結(jié)合當下所曝光的信息，結(jié)合如此散熱條件，RTX 5090 的原始功耗和發(fā)熱應該會給人留下深刻的印象。