韓國：三星3nm制程良率大幅提升

  ICC訊  據(jù)業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子大幅提高了3nm芯片的產(chǎn)量，似乎是良率問題得到了解決。

  相比于此前受困了良率問題，三星一位高管在受訪時表示，三星第一代的3nm制程良率“接近完美”，第二代3nm芯片技術(shù)也迅速展開?！拔覀儸F(xiàn)在正在馬不停蹄地開發(fā)第二代3nm芯片。”他告訴韓國經(jīng)濟(jì)日報。

  產(chǎn)量意味著晶圓上還剩下多少芯片，因此是半導(dǎo)體工藝節(jié)點盈利能力的關(guān)鍵。

  消息稱，臺積電的3nm工藝實現(xiàn)了高達(dá)85%的生產(chǎn)良率，高于三星。據(jù)稱，這一數(shù)字過于夸張，韓國行業(yè)消息人士認(rèn)為實際可能在50%。他們表示，考慮到臺積電向蘋果大規(guī)模生產(chǎn)和交付業(yè)界最小的芯片的周期，其產(chǎn)量最多為50%。

  據(jù)悉，三星電子將在其3nm工藝中采用透光率超過90%的最新EUV薄膜(pellicle)以提高良率，這些薄膜將來自韓國公司S&S Tech。