化合物半導(dǎo)體推動(dòng)10G40G市場增長

訊石光通訊網(wǎng) 2008/7/18 9:05:59
    根據(jù)Strategy Analytics最新發(fā)表的《2007-2012年光纖模擬IC市場預(yù)測報(bào)告》顯示，GaAs和InP技術(shù)將推動(dòng)10G/40G市場的增長。
 
    未來5年時(shí)間里，10G/40G市場的年復(fù)合增長率將達(dá)到28%，其中到2012年，基于GaAs和InP的轉(zhuǎn)阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驅(qū)動(dòng)器將占光纖模擬IC市場25%的份額。
 
    預(yù)計(jì)到2012年之前，整體光纖模擬IC市場將保持9%的年復(fù)合增長率。受固網(wǎng)寬帶和移動(dòng)業(yè)務(wù)的快速發(fā)展影響，未來10G/40G網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施將以最快的速度部署，這將帶動(dòng)整體光纖模擬IC市場的發(fā)展。
 
    預(yù)計(jì)到2012年全球轉(zhuǎn)阻放大器（TIA）、后置放大器以及激光芯片驅(qū)動(dòng)器的總市場產(chǎn)值將接近5億美圓，屆時(shí)CMOS和SiGe技術(shù)將主導(dǎo)這部分市場。而GaAs和InP技術(shù)將推動(dòng)10G/40G市場的增長，尤其是在激光驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域。(

新聞來源：光電新聞網(wǎng)

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