ICC訊 超厚的熱氧化層硅片:在平面光波導(dǎo)(AWG)制作過(guò)程中,處于最底層的SiO2膜被稱之為Undercladding層,它對(duì)AWG的工藝良率有至關(guān)重要的影響。KST公司生產(chǎn)的超厚熱氧化層硅片,由于具有優(yōu)異的表面潔凈措施以及穩(wěn)定的薄膜質(zhì)量,占據(jù)了全球AWG市場(chǎng)的最大份額。
薄氧化層硅片:用于設(shè)備制造商的蝕刻速率測(cè)試和OSAT公司的封裝測(cè)試等測(cè)試領(lǐng)域。
SOI晶圓:KST公司利用獨(dú)有的生長(zhǎng)工藝,能夠制備氧化層厚達(dá)20um的SOI(Silicon on Insulator)晶圓。除了常規(guī)的SOI晶圓之外,KST還可以根據(jù)客戶要求制作具有腔體結(jié)構(gòu)的SOI晶圓(Cavity SOI),SOI 晶圓利用了 KST 獨(dú)特的厚熱氧化膜技術(shù)特點(diǎn),是具有壓力傳感器等膜片結(jié)構(gòu)的MEMS設(shè)備的最佳選擇。
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