臺(tái)積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時(shí)間或?qū)⑼七t

  ICC訊 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進(jìn)度都將放緩。

  此前，按臺(tái)積電公布的計(jì)劃，3nm將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺(tái)積電3nm初期產(chǎn)能，成為臺(tái)積電3nm的第一批客戶。

  此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的3nm工藝都會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。

  此前臺(tái)積電曾宣稱，其3nm工藝會(huì)比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。

  臺(tái)積電2020年?duì)I收持續(xù)創(chuàng)新高，臺(tái)積電董事長劉德音此前曾表示，為提前布局3nm，臺(tái)積電已累計(jì)投資超過2萬億元新臺(tái)幣，目標(biāo)是3nm量產(chǎn)時(shí)，12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過60萬片。而為了爭奪市場(chǎng)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)準(zhǔn)備投入1160億美元，以實(shí)現(xiàn)在3nm工藝上趕超臺(tái)積電。

  雖然三星和臺(tái)積電都在研發(fā)3nm工藝，但兩者采用的技術(shù)并不相同，臺(tái)積電采用了成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET)，而三星則采用了環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。