Yole：2024年化合物半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

  ICC訊（編譯：Nina）Yole Intelligence推出《2024年化合物半導體行業(yè)現(xiàn)狀報告》，全面分析市場動態(tài)、生態(tài)系統(tǒng)演變和技術(shù)趨勢，重點關(guān)注CS襯底和外延晶圓。

  在功率和光子學應用強勁擴張的推動下，到2029年，全球化合物半導體襯底和外延晶圓市場預計將達到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展，射頻探索新的市場機會。

  2029年襯底市場將達33億美元

  化合物半導體(Compound Semiconductor，CS)是跨行業(yè)的變革力量。碳化硅(SiC)在汽車領域的主導地位，特別是在800V電動汽車領域，推動了一個數(shù)十億美元的市場，而氮化鎵功率器件(Power GaN)將其業(yè)務擴展到消費技術(shù)和汽車領域，預計在智能手機OVP領域?qū)⒂?0億個需求量的機會。

  射頻砷化鎵(RF GaAs)與5G和汽車連接相結(jié)合，預計將迎來復興;而射頻氮化鎵(RF GaN)則在國防、電信和航天工業(yè)中找到了自己的利基市場，并將目光投向了高功率應用。在光子學(Photonics)領域，磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)處于領先地位，InP在人工智能應用的推動下復興，而GaAs光子學由于各種市場動態(tài)而略有增長。MicroLED顯示出潛力，盡管它們的廣泛采用之旅仍在逐步展開。

  重塑CS格局：主要玩家的戰(zhàn)略舉措和供應鏈動態(tài)

  CS襯底(Substrate)制造商不斷制定新的戰(zhàn)略來擴大其產(chǎn)品組合，尋求擴大其市場份額。Wolfspeed站在先鋒，引領碳化硅功率器件(Power SiC)的SiC襯底供應。其未來十年的宏偉目標是向更大規(guī)格8英寸晶圓廠和擴大材料產(chǎn)能的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。同時，Coherent在光子器件領域扮演著關(guān)鍵角色，并在功率和射頻應用領域占據(jù)著SiC襯底主導供應商的地位。與SEDI在RF GaN領域的合作，以及與GE一起進入Power SiC領域，增強了其從襯底到器件的競爭優(yōu)勢。

  AXT、住友電工、Freiberger和SICC在GaAs、InP和半絕緣SiC襯底方面處于領先地位，并打算通過擴展到其他CS材料領域來實現(xiàn)收入增長。玩家們正在研究用于射頻、光子學和μLED應用的GaAs和InP襯底之間的協(xié)同作用。與此同時，中國關(guān)于從中國出口鎵原材料的新規(guī)定使CS襯底制造商調(diào)整了其原材料的戰(zhàn)略供應。這些新的戰(zhàn)略物資是什么?我們會看到對CS襯底價格的影響嗎?

  革命性CS：向更大襯底過渡釋放新的行業(yè)潛力

  CS技術(shù)在各個領域都有不同的進步。事實上，SiC行業(yè)正在蓬勃發(fā)展，玩家們正專注于擴張和投資。例如，6英寸晶圓仍然是SiC的主流，盡管Wolfspeed對8英寸MHV晶圓廠的12億美元投資刺激了2023年第一季度的收入。Soitec和Sumitomo Mining等的工程襯底等創(chuàng)新，研發(fā)重點是提高SiC晶圓產(chǎn)量。英飛凌等主要IDM專注于晶錠(Boule)和晶圓分割技術(shù)。Power GaN主要采用6英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，而8英寸硅基氮化鎵則隨著Innoscience、意法半導體和英飛凌的擴張而獲得進展。

  功率氮化鎵的玩家正在努力使其具有與SiC類似的吸引力。他們的創(chuàng)新旨在使用QST等新型襯底實現(xiàn)垂直器件結(jié)構(gòu)和提高性能。在射頻業(yè)務中，硅上氮化鎵正在為與碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)等現(xiàn)有技術(shù)競爭的新機會鋪平道路。光子學利用人工智能的浪潮，驅(qū)動高數(shù)據(jù)速率激光器。InP Photonics是一個處于增長階段的成熟市場。

  人工智能能推動InP向6英寸過渡嗎?同時，GaAs正在探索由MicroLED驅(qū)動的8英寸制造。MicroLED與OLED競爭，面臨著產(chǎn)量和效率方面的挑戰(zhàn)，成功與否還未得知，但大量投資為其提供了發(fā)展動力。蘋果計劃推出一款8英寸的MicroLED智能手表，這將推動行業(yè)從6英寸向8英寸的過渡，釋放出新的市場潛力。