ICC訊 落霞與孤鶩齊飛,秋水共長天一色。2021年10月28日,由國家信息光電子創(chuàng)新中心與光纖通信技術和網絡國家重點實驗室主辦,深圳市訊石信息咨詢有限公司承辦的第四屆中國硅光產業(yè)論壇(SiPC China 2021)在武漢光谷科技會展中心圓滿舉辦!會議現場迎來百余家企業(yè)的近300人出席聆聽,交流氣氛熱烈友好。也特別感謝贊助單位Sunyu Photonics Pte. Ltd 4、蘇州海光芯創(chuàng)光電科技股份有限公司、ficonTEC Service GmbH (Shanghai) Co., Ltd.和支持單位武漢光博會、中星聯(lián)華科技(北京)有限公司、廣西自貿區(qū)見炬科技有限公司對本次硅光論壇的大力支持!本文帶您領略演講瞬間,一起回顧論壇盛況。
會議現場
會議開場由創(chuàng)新中心副董事長毛浩先生發(fā)表開場致辭。毛總提到:歡迎大家的到來,企業(yè)的愿景是企業(yè)發(fā)展的核心要素,創(chuàng)新中心匯集國內所有行業(yè)專家的意見,把硅光打造為焦點,過去四年也持續(xù)不斷地努力。如今硅光技術也在受到大家的重視。無論是企業(yè)內部還是外部國際環(huán)境,都在走向硅光。而在真正走向全面硅光也有一定距離,但我們充滿信心!各種應用場景的實現也在期待中。也歡迎大家積極探討,有望看到五年左右的硅光突破,抓住下一個風口,攜手共創(chuàng)行業(yè)的美好未來。
毛總致辭
毛總的溫暖致辭過后進入正式演講環(huán)節(jié)。
K01 創(chuàng)新中心技術研發(fā)總監(jiān)傅焰峰《打造面向應用的光子集成中國芯》
傅總介紹了硅光技術的六大特點,和創(chuàng)新中心在硅光芯片設計和驗證上的努力和成果,現在創(chuàng)新中心芯片流片項目已完成,現在已經有相應的產品了。
關于光電子器件集成封裝技術的演變,傅總表示光電子器件從分立和低速走向高速和集成。而光引擎技術的競爭,高帶寬、高密度、低功耗光引擎技術是方向。而光電共封裝(CPO)的關鍵技術在于板卡式交換機與3D集成引擎。
傅總還介紹了創(chuàng)新中心在集成封裝上也取得了一些基礎建設成果,已經建設有適應高帶寬、高密度光電集成封裝典型工藝,以及3D集成光引擎制造設備等,以及在共性關鍵技術的突破。
K02 中國電信工程師劉昊《電信光模塊需求與應用探討》(線上)
劉工演講提到,業(yè)務流量增長助力硅光產業(yè)高速發(fā)展,前傳光模塊也在向50/100G演進,而城域接入與匯聚層有WDM下沉的兩種路線,數據中心DCI- BOX構建開放光網絡,城域超長距和骨干線路側向相干高速、高集成度演進。劉工在小結中提到,IM-DD技術選擇,需求和成本雙重驅動,相干光模塊單波速率持續(xù)提升,高速光電芯片和器件是關鍵。
劉工提到對光網絡的需求是開放解耦,自主管控,而對光模塊的需求是統(tǒng)一管理,智能運維。更多精彩內容,敬請現場聆聽。
K03 中國聯(lián)通高級工程師沈世奎《硅基光電子集成技術在運營商網絡應用的探討》(線上)
首先沈工提到光電子集成已成為行業(yè)趨勢,硅基光電子集成是熱點,同時也闡述了硅基光電子集成技術產業(yè)生態(tài)概貌。對于硅基光電子集成技術發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)主要在于工藝制成與微電子不同,產品開發(fā)風險存在,以及存在激光器光源集成、光纖耦合以及熱管理等難點,而硅基光電集成在通信設備中除激光器外,已可實現光模塊中大部分功能器件,硅基發(fā)光產業(yè)化仍然比較遙遠。
最后沈工在總結中提到,中國在硅光電子集成產業(yè)鏈還存在較大差距,國內公司更多集中在芯片設計和光模塊封裝制造等環(huán)節(jié),必須在仿真設計工具、工藝產線等上下游補齊短板,構建完整的硅基光電子集成產業(yè)鏈,才有可能實現并跑和彎道超車。
K04 中國信科光量子技術主任研究員錢懿《硅光技術加持下的量子通信》
錢主任講到量子密鑰分發(fā)以及量子密鑰分發(fā)的典型應用場景。內容過于專業(yè),建議現場聆聽。
K05 華為數通產品線產品規(guī)劃專家謝耀輝《從數通應用看硅光的現在與未來》
謝總提到硅光的痛點,在功耗和成本上都呈弱勢,耦合損耗大+光源必須大功率CW DFB Laser,導致100G時期硅光沒有絕對優(yōu)勢。
k06 Sunyu Photonics Technical director Johnny Yap<Challenges & Solution in Realising Scalable Automated Silicon Photonics Measurement >
首先,Johnny Yap介紹了硅光的優(yōu)勢及應用,其中硅光測試十分昂貴又低效,導致硅光成本高。對此,Sanyu 設計出了新的測試方案,更多細節(jié),敬請現場聆聽。
k07 北京量子信息科學研究院研究員強曉剛《硅基集成光學量子計算技術》(線上)
強曉剛研究員講到基礎光量子器件和集成光學量子計算技術發(fā)展,介紹了基于通用兩比特光量子計算芯片,北京量子信息科學研究院做出的成果。更多詳細內容,敬請現場聆聽。
K08 阿里巴巴光子集成高級技術專家李淼峰《硅光技術產業(yè)化的痛點和落腳點》
李淼峰指出了硅光產業(yè)當前面臨的痛點,包括:Fab生態(tài)不成熟、缺乏完備的從物理層工藝到系統(tǒng)級性能的設計和仿真工具、復雜的高速高密度封裝技術、低成本高可靠性的光源(Intel效果最好,業(yè)界多使用外置方案)、高效率低損耗的有緣區(qū)結構、高效的端面耦合器、全自動的晶圓級芯片測試篩選、光電協(xié)同設計。
未來IT基礎設施投資將由數據中心主導,而阿里巴巴全球擁有60多個數據中心區(qū)域,對硅光產業(yè)利好。數據中心互聯(lián)的兩大趨勢:短距離多路并行和相干下沉,正是硅光集成的優(yōu)勢:例如高密度多路并行、高復雜度相干調制,以及在3.2T時代的CPO需求只有SiP支持。數據中心硅光模塊需要在成本和功耗持續(xù)改善。400G時代波分方案成本略輸于多路并行方案,800G這種差距將會放大。
隨著速率升級,未來總體成本中的可插拔光學器件成本占比將會持續(xù)增長,達到80%,CPO是控制光學成本的創(chuàng)新方案,在散熱和密度都有優(yōu)勢。李博士還提到單波長100G和200G情況,認為單波長100G生命周期很長,單波200G預計從2024年甚至更晚才開始出量(電芯片更晚達到200G單波)。最后他還進行總結,性能是相干產品決勝因素,芯片是數通領域的決勝因素,CPO需求將在5年后甚至更遠才出現,但是硅光將在CPO時代有壓倒性優(yōu)勢。800G/1.6T將是可插拔模塊占據主導,單波長100G仍有很長周期。
K09 海光芯創(chuàng)首席科學家陳曉剛《硅光技術最新發(fā)展及其在超高速光交換網絡的應用》
陳博士表示光子集成經歷了從分立器件、集成器件再到集成模塊、集成系統(tǒng)。硅本身不是很理想的發(fā)光材料。電子集成的核心器件尺寸再幾個到十幾個納米,而光子集成則是毫米級。
硅光高速模塊的基本架構,包括Driver/TIA、SiP Rx/Tx等,現階段的硅光PIC結構相對簡單,便于設計、制造和調測。這類硅光PIC的光學性能可預測性較高,傳輸損耗低,芯片的一致性和可靠性易保障,利于大規(guī)模生產并,認為硅光PIC和光纖的連接方案的效率是產品成功的關鍵。在硅光技術平臺上,使光模塊達到800G/1.6T以上總帶寬的方案,主要通過三個維度的技術革新:光的并行傳輸特性、更高階的編碼方案、提高調制器的調制速率和光電探測器的檢測速率。
超高速硅光模塊的集成方案,包括片上集成、一體化封裝(CPO),而硅光模塊的封測要重點關注光纖于硅光波導的耦合,將光源和硅光芯片單片集成以前,如何將激光信號有效地耦合到生產過程中的晶圓上,完成切割前的產品檢測是實現硅光芯片大規(guī)模量產的必要條件。海光芯創(chuàng)打造Wafer in,Module out硅光封測與制造平臺,擁有硅光芯片的晶圓級封測平臺、Die bonding和 Wire bonding 自動化設備、自動化多通道耦合,硅光引擎和模塊的校準測試平臺。通過和硅光芯片生產廠商的合作,公司已經基本建立硅光模塊的生產,封裝和自動測試能力。
最后,陳博士還提到硅光未來方向的展望,例如芯片級光互連網絡的單片集成的光電一體化芯片、硅光器件于微電子芯片的集成,可編程光子芯片、片上實驗室以及可穿戴設備等。
K10 上海交通大學教授蘇翼凱《硅光器件極限性能的探討》(線上)
蘇教授提到,在光與電傳輸的性能比較上,目前光互連優(yōu)勢體現在1米以上的距離。如何提升光的總體性能,特別是高容量、低損耗,硅光互聯(lián)目標一是實現100Tbps,1 pj/bit,第二目標是達到1pbs,100fj/bit。
蘇教授表示硅光互聯(lián)的未來限制因素主要包括密度/尺寸、光學帶寬以及功耗等,波導陣列密度包括分離波導、耦合波導、密集非對稱波導等,硅光器件尺寸需要新設計、新結構和新的工藝。
K11 ficonTEC中國總經理曹志強《硅光封測全流程自動化解決方案》
曹總表示ficonTEC的核心部分是給所有組裝和測試提供平臺。半導體的組裝發(fā)展和硅光組裝發(fā)展是相似的,硅光組裝發(fā)展的速度遠遠快于半導體。光模塊成本當中組裝測試成本占比很重,如何降成本避免不了測試這塊的思考。
硅光測試不同于單一電或光的測試,而是混合的,所以需要一些約定俗成的規(guī)律就行設備的標準化,也就間接降低成本。
K12 亨通洛克利CTO陳奔《機會與挑戰(zhàn)——硅光在數據中心的應用》
陳奔博士從產業(yè)機會角度展開,介紹了市場前景之大,數據中心市場巨大。電芯片、交換機面板都在以可預見的速率增長,數據中心將是硅光的主要市場。
從機會上講,硅光有眾多優(yōu)勢,潛在的低成本優(yōu)勢、低功耗、可擴張性、高集成度、潛在高良率、可靠。有優(yōu)勢便會存在挑戰(zhàn),硅光的主要挑戰(zhàn)是高插入損耗、光入和光出、缺少成熟的硅光公共代工廠、需要一些專門的工藝和專門的工藝控制、市場規(guī)模吸引力有限、初期投資巨大。
陳博士根據原理趨勢做了成本趨勢對比圖,在一定量以后,硅光還是有優(yōu)勢的。按百分比來看,硅光的成本優(yōu)勢在30-35%之間。
陳奔博士還指出CPO面臨的挑戰(zhàn)有熱管理、電端口連接靈活性和標準化問題。
K13 聯(lián)合微電子中心項目經理曹國威《CUMEC硅光芯片解決方案》
曹經理介紹了聯(lián)合微電子在硅光芯片設計平臺方面的建設工作,打造硅基光電子PDK,具備器件物理仿真、鏈路/系統(tǒng)仿真、版圖工具、物理驗證和工藝優(yōu)化能力。
CUMEC持續(xù)為業(yè)界用戶提供“一站式”硅光解決方案,包括產業(yè)共性技術平臺的建造,推動工藝迭代與穩(wěn)定性提升,提供面向應用需求的器件優(yōu)化。同時,建造新應用解決方案,定義與定制新工藝流程,縮短新應用的上市進程。
K14 倫敦大學學院研究院陳思銘《硅基量子點激光器的研究進展》
倫敦大學學院研究院陳思銘發(fā)表《硅基量子點激光器的研究進展》報告,指出將II-V組發(fā)光材料直接外延集成在硅襯底上,將實現很理想的硅基光電子器件。陳思銘認為,III-V族量子點是實現這一目標的有效方式,它具有三維量子限制效應,尺寸在納米級的半導體“簇從??梢越档凸陌l(fā)熱、無制冷工作,減少溫度控制器、減少外部調制器的使用等優(yōu)勢。而量子點結構作為硅基外延III-V族激光器的核心優(yōu)勢就是缺陷免疫的能力。
在發(fā)展路線上,首先是斜切角硅基外延,業(yè)界第一次成功將III-V族材料在鍺襯底上生長,其后是鍺硅襯底上生長III-V材料,實現硅基量子阱激光器最高200小時的使用壽命。但是鍺襯底不利于光導入硅基波導。陳思銘介紹了業(yè)界首例可實用的硅基量子點激光器,在斜切角的硅襯底上通過遷移增強外延等技術,引入應變補償超晶格缺陷過濾層,解決了斜切角硅襯底與III-V族材料異質融合問題。
陳思銘最后總結表示,硅基外延量子點激光器分立器件已達到商業(yè)化標準,一旦在大尺寸硅襯底上實現規(guī)?;慨a將會對光通信激光器市場造成一定的沖擊。全分子束外延技術在工藝流程、制備成本,良品率等方面更具優(yōu)勢。同時,硅基外延量子點激光器技術進入了關鍵發(fā)展時期,急需打造面向集成量子點激光器的硅光子工藝平臺,促成III-V半導體材料與CMOS工藝的融合。
K15 中科院半導體所副研究員李智勇《硅光子技術應用的發(fā)展建言》(線上)
中科院半導體所副研究員李智勇發(fā)表《硅光子技術應用的發(fā)展建言》報告,他表示硅光子技術應用已歷經實踐,形成了產業(yè)鏈條和生態(tài)環(huán)境。針對通信等應用要求,新一代硅光子亟待快速推進發(fā)展。事實上,硅光子技術已經拓展至傳感、信息處理等領域,針對自動駕駛、人工智能應用以及激光陀螺。
從新技術到新應用,都必須引導產業(yè)資源的投入和凝聚,回歸初衷就是全面升級和完善硅光子技術應用。
K16 浙江大學劉柳《硅基混合集成有源光器件和芯片》(線上)
菊未全開桂飄香,江城十日似梅黃。再次感謝參會嘉賓的到場支持,也十分感激主辦單位國家信息光電子創(chuàng)新中心、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室,贊助單位Sunyu Photonics Pte. Ltd 4、蘇州海光芯創(chuàng)光電科技股份有限公司、ficonTEC Service GmbH (Shanghai) Co., Ltd.,和支持單位武漢光博會、中星聯(lián)華科技(北京)有限公司、廣西自貿區(qū)見炬科技有限公司對本次硅光論壇的鼎力支持,下次訊石會議再見。
新聞來源:訊石光通訊網