代工價格高達(dá)14萬元 臺積電3nm真實性能大縮水:僅比5nm好了5%

訊石光通訊網(wǎng) 2022/12/14 11:09:54

  ICC訊  臺積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm,3nm工藝因為種種原因一直推遲,9月份就說量產(chǎn)了,又說年底量產(chǎn),不過這個月就算量產(chǎn),真正放量也要到明年了。

  根據(jù)臺積電之前的消息,3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,但是這版工藝遭到客戶棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E工藝。

  對比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。

  N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍,對比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或者可以將晶體管密度提升60%,密度上甚至更低了一些。

  考慮到近年來摩爾定律一直在放緩,70%左右的密度提升看起來還不錯,但這是臺積電公布的最好水平,指的是純邏輯芯片,SRAM緩存的密度就只有20%了,N3E還會更低。

  然而20%的提升依然是理論上的美好,臺積電之前在IEDM會議上公布了更真實的數(shù)據(jù),3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上只比5nm高出5%,指標(biāo)大幅縮水。

  盡管3nm工藝還有10-15%的性能或者25-30%的功耗改進(jìn),但是這些指標(biāo)顯然也是非常理想的情況,實際提升也會跟密度一樣存在縮水。

  但是3nm晶圓的代工價格上漲是實實在在的,傳聞是2萬美元一片,約合人民幣14萬元,比5nm工藝漲價至少25%以上。

  而且14萬元的價格還是基準(zhǔn)價,如果廠商的訂單量達(dá)不到臺積電的要求,價格還會大漲,超過10萬美元也很正常,也就是70萬人民幣了,這樣的價格下芯片設(shè)計廠商的成本根本撐不住。

  也難怪臺積電在需求下降的時候依然想逆勢漲價,但蘋果強(qiáng)硬拒絕,反擊臺積電的理由就是蘋果這幾年的利潤率一直沒提升,臺積電自己的利潤率已經(jīng)從50%提升到60%了。

新聞來源:快科技

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