ICC訊 Intel之前是地球上芯片工藝最先進(jìn)的半導(dǎo)體一哥,在制程工藝上領(lǐng)先友商三年半都沒壓力,三星、臺(tái)積電當(dāng)年是完全沒法比的,只不過14nm節(jié)點(diǎn)之后,臺(tái)積電、三星快速崛起,Intel的14nm工藝撐了6年多,去年才被10nm工藝取代。
去年Intel換了新任CEO基辛格,后者在Intel工作了30多年,重新出山之后一個(gè)目標(biāo)就是重振Intel在半導(dǎo)體市場(chǎng)上的領(lǐng)導(dǎo)地位,未來幾年中就要反超臺(tái)積電。
為此基辛格推出了IDM 2.0戰(zhàn)略,未來幾年要投資上千億美元在美國(guó)及歐洲建廠,不僅要自己用,還要進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng),2025年之前要掌握至少5代CPU工藝,并率先量產(chǎn)埃米級(jí)的20A及18A工藝。
那么問題來了,假設(shè)未來幾年中Intel的進(jìn)度沒有問題,那么2025年時(shí)能不能超越臺(tái)積電?semiwiki網(wǎng)站還真的分析計(jì)算了這個(gè)問題。
衡量芯片工藝是個(gè)復(fù)雜問題,不過他們的計(jì)算主要聚焦于工藝性能及密度,在2025年的時(shí)候Intel應(yīng)該是量產(chǎn)20A及改進(jìn)版18A工藝了,三星也是2nm工藝,臺(tái)積電雖然沒有明確,但那時(shí)候主力也應(yīng)該是2nm工藝,三家都會(huì)上新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)。
最終得出來的結(jié)果就是,在2025年的時(shí)候,Intel的20A、18A工藝在性能上將取得優(yōu)勢(shì),高于臺(tái)積電及三星的2nm級(jí)別工藝。
不過性能重回第一的同時(shí),Intel的工藝在晶體管密度上還是不太可能同時(shí)占上風(fēng),在這方面臺(tái)積電的2nm還是會(huì)領(lǐng)先一些。
當(dāng)然,以上這些結(jié)果還是個(gè)參考,由于廠商的公布的數(shù)據(jù)不夠全面,semiwiki雖然是資深專家也不可能完全準(zhǔn)確,不過2025年Intel在2nm節(jié)點(diǎn)王者歸來應(yīng)該是沒啥問題了,至少工藝性能優(yōu)勢(shì)是可以保證的。
新聞來源:快科技
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