ICC訊 針對(duì)美國日前公布的一系列對(duì)華芯片出口管制措施,韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部(以下簡稱產(chǎn)業(yè)部)表示,此舉對(duì)韓國相關(guān)產(chǎn)業(yè)“影響有限”。美國對(duì)華出口管制新規(guī)本月21日起正式生效,在未獲得事前批準(zhǔn)的情況下,相關(guān)企業(yè)禁止向中國出口高性能計(jì)算機(jī)芯片、芯片制造設(shè)備和其他產(chǎn)品。根據(jù)韓國《亞洲經(jīng)濟(jì)》10日的報(bào)道,韓國政府此前已通過協(xié)商將韓方關(guān)切轉(zhuǎn)達(dá)給美方。
報(bào)道稱,美國此次將31家中國企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)和其他團(tuán)體列入美國商務(wù)部“未經(jīng)核實(shí)清單”,限制相關(guān)實(shí)體獲得美國半導(dǎo)體技術(shù)。據(jù)消息人士透露,美國政府可能對(duì)在中國生產(chǎn)內(nèi)存芯片的外企“網(wǎng)開一面”。不過韓國產(chǎn)業(yè)部認(rèn)為,從長遠(yuǎn)角度來看,韓國人工智能企業(yè)開拓海外市場時(shí)或受到限制。
有不愿透露姓名的韓國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士稱,美國新限制措施出臺(tái)標(biāo)志著韓企事實(shí)上已不可能對(duì)其在中國的生產(chǎn)線進(jìn)行設(shè)備投資或升級(jí)。目前三星電子在西安和蘇州分別建有NAND閃存工廠和半導(dǎo)體組裝測試工廠,SK海力士則在無錫和大連分別建有DRAM和NAND閃存工廠,在重慶建有封裝測試工廠。三星電子表示,期待韓美政府通過協(xié)商得出“富有建設(shè)性的結(jié)論”,保障其中國生產(chǎn)基地正常運(yùn)轉(zhuǎn)。SK海力士方面也表示,將全力準(zhǔn)備所需材料文件按照規(guī)定流程獲得美方的許可。
“目前并不能保證美國會(huì)對(duì)韓國半導(dǎo)體網(wǎng)開一面”,《韓民族新聞》10日的報(bào)道稱,目前韓國半導(dǎo)體企業(yè)的憂慮正在增加,雖然理論上最先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備可以在獲得美國政府許可的情況下運(yùn)往中國,但不能保證未來可以持續(xù)。與此同時(shí),美國半導(dǎo)體公司正集中精力擴(kuò)大其國內(nèi)生產(chǎn)設(shè)施。美光本月宣布未來20年內(nèi)將在紐約投資1000億美元,建設(shè)一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠,供應(yīng)先進(jìn)的存儲(chǔ)半導(dǎo)體。英特爾決定到2025年斥資200億美元在美國愛達(dá)荷州建造一座半導(dǎo)體代工廠。因此,有不少猜測認(rèn)為,未來美國政府可能會(huì)進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)本國半導(dǎo)體公司的保護(hù)措施。
“美國強(qiáng)化半導(dǎo)體限制只會(huì)讓中國半導(dǎo)體自立加速”,韓國“NEWS 1”網(wǎng)站10日?qǐng)?bào)道稱,美中科技爭端正在升級(jí),但美國限制中國科技發(fā)展的目標(biāo)最終會(huì)失敗。2018年,美國在特朗普?qǐng)?zhí)政期間開始對(duì)中國征收高額關(guān)稅,2021年美國對(duì)中國的貿(mào)易逆差創(chuàng)下歷史新高。美國政府宣布對(duì)華半導(dǎo)體限令后,美國半導(dǎo)體公司的股價(jià)集體暴跌。這一舉措不僅會(huì)讓美國半導(dǎo)體企業(yè)遭遇損失,還有助于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨(dú)立自主。
新聞來源:環(huán)球時(shí)報(bào)