臺(tái)積電首秀7nm自研芯片：4核A72頻率高達(dá)4GHz

  ICCSZ訊 在本月初于日本東京舉辦的VLSI Symposium(超大規(guī)模集成電路研討會(huì))期間，臺(tái)積電展示了自己設(shè)計(jì)的一顆小芯片(chiplet)?；緟?shù)上，該芯片采用7nm工藝，4.4x6.2mm(27.28 mm2)，CoWos(晶圓基底封裝)，雙芯片結(jié)構(gòu)，其一內(nèi)建4個(gè)Cortex A72核心，另一內(nèi)建6MiB三緩。

  該芯片采用了一種雙芯片設(shè)計(jì)，這種技術(shù)可以通過(guò)添加額外的PHY來(lái)進(jìn)行擴(kuò)展，芯片不同單元間以及不同芯片之間可以形成互聯(lián)。每個(gè)小芯片具有15個(gè)金屬層，模具本身僅為4.4毫米×6.2毫米(27.28mm2)。臺(tái)積電采用了四個(gè)Arm Cortex-A72內(nèi)核，針對(duì)turbo頻率大于4GHz電壓操作，配備了高性能單元(7.5T，3p + 3n)并定制設(shè)計(jì)1級(jí)高速緩存單元，這一模塊有兩個(gè)L2緩存塊，每個(gè)1 MiB，這些是使用它們的高電流位單元實(shí)現(xiàn)的，并以半速運(yùn)行。此外，還有一個(gè)大型的6 MiB L3緩存，使用高密度位單元實(shí)現(xiàn)，并以四分之一速度運(yùn)行。

  在1.20的電壓下，Cortex內(nèi)核可以達(dá)到4 GHz，實(shí)測(cè)最高達(dá)到了4.2GHz(1.375V)。臺(tái)積電稱，這款芯片是為高性能計(jì)算平臺(tái)設(shè)計(jì)，這也解釋其主頻為何如此驚人。