光芯片技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化立項(xiàng)，將新增光刻、刻蝕等設(shè)備20余臺(tái)

  ICC訊 5月23日，武漢敏芯半導(dǎo)體有限公司用于5G數(shù)據(jù)中心高速光芯片核心技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目立項(xiàng)。 公示信息顯示，該項(xiàng)目針對(duì)目前國內(nèi)高端芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀，基于5G通信對(duì)高速光芯片的要求，開展相關(guān) DFB光芯片技術(shù)和工藝研究，完成5G高速光芯片中高帶寬，寬溫工作的技術(shù)難題攻關(guān);建設(shè)高速芯片生產(chǎn)制造線，完成產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化及“國產(chǎn)化”替代，加快光通信產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

  此外，項(xiàng)目將新增2英寸晶圓工藝的光刻機(jī)、反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備、芯片測(cè)試機(jī)和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備共20余臺(tái)，年產(chǎn)能增加2000萬只，產(chǎn)值增加2億元。