ICC訊 據(jù)日經(jīng)亞洲報道,臺積電日前已開始建設(shè)全球最尖端半導體2nm芯片的新工廠。2022年夏季以來,半導體市場大幅下滑,但臺積電并未放緩投資步伐。在臺海局勢備受關(guān)注的背景下,從最圖片可以看出尖端半導體在中國臺灣的進一步集中。
位于臺北市西南60公里處,可以說是中國臺灣心臟地帶的科技園區(qū)“臺灣硅谷”。如同圍繞著臺積電總部,云集中國臺灣內(nèi)外的眾多相關(guān)企業(yè)鱗次櫛比。
在臺積電總部后方的丘陵地帶,在相當于約12個東京巨蛋體育場的約55萬平方米的廣闊面積內(nèi),一座計劃開始制造2納米(納米為十億分之一米)芯片的新廠房已悄然竣工。
相關(guān)供應(yīng)商表示,2nm芯片工廠的投資額約為2萬億日元(約合人民幣1045億元)。臺積電計劃在這里建立四個這樣的工廠。對于臺積電來說,這也是有史以來最大的項目。建設(shè)工作的進度相當緊湊,因為該公司還計劃在兩年后的2025年盡快開始量產(chǎn)。
在全球半導體行業(yè),尤其是最近三年,廠商之間的差距逐漸拉大。2020年春天,疫情在全球蔓延之際,臺積電推動當時最先進的5nm芯片量產(chǎn),引發(fā)業(yè)界沸騰。
競爭對手的斗爭
另一方面,韓國最大的競爭對手三星電子也涉足5nm芯片,但“良品率沒有提升,舉步維艱”(日本供應(yīng)商高管)。美國的英特爾更是遠遠落在后面,產(chǎn)業(yè)從此進入“臺積電頂電時代”。到2022年底,臺積電將成功量產(chǎn)3nm芯片,成為進一步領(lǐng)先5nm芯片的最前沿產(chǎn)品。趁著這個勢頭,超半導體2nm芯片超3nm的新廠建設(shè)已經(jīng)啟動,這就是臺積電的現(xiàn)狀。
與目前最先進的3nm芯片相比,2nm芯片的加工性能提升了10~15%。功耗可降低25%至30%,并可延長智能手機等的“待機時間”。
2nm芯片的生產(chǎn)難度特別高,這對芯片行業(yè)也有著特殊的意義。因為如果臺積電成功實現(xiàn)量產(chǎn),臺積電占據(jù)全球尖端芯片市場90%以上份額的壟斷地位或?qū)⑦M一步鞏固。
在2nm芯片領(lǐng)域,除了傳統(tǒng)半導體的技術(shù)進步縮小電子線路的線寬外,臺積電有望在完全不同的層面上突破重大壁壘。
長期以來,半導體的發(fā)展一直基于以納米為單位縮小半導體基板(晶圓)上電子電路的線寬。 這是因為只要線寬更細,就可以貼裝晶體管等更重要的元器件,通過提高加工速度可以提高半導體的性能。然而,自2020年5nm芯片開始量產(chǎn)以來,產(chǎn)業(yè)就面臨困難。這是因為過去10年使用的被稱為“FinFET”的半導體設(shè)計結(jié)構(gòu)已經(jīng)達到了極限。如果試圖進一步減小電子電路的線寬,則經(jīng)常會出現(xiàn)大量電流泄漏到不應(yīng)流過的地方的現(xiàn)象。
為了防止這種電流泄漏,各個公司展開了激烈的競爭,開發(fā)了一種名為“納米片(nanosheet)”的新型設(shè)計結(jié)構(gòu),稱為環(huán)柵技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA),推廣了很長時間。臺積電為此開發(fā)工作了大約15年。
美國的IBM、英特爾、三星也一直在推動發(fā)展,但對加工技術(shù)要求極其精細,量產(chǎn)難度極大。 三星在2022年部分引入了該技術(shù),但“難以投入生產(chǎn)”(市場分析師)。2022年夏季成立的Rapidus Japan,為推進尖端半導體國產(chǎn)化,也從IBM獲得了技術(shù),力爭實現(xiàn)量產(chǎn),但能否成功還是未知數(shù)。
采用納米片的2納米芯片將成為最精密、最好的技術(shù)——2022年8月,臺積電的首席執(zhí)行官(CEO)魏哲家在總部所在地新竹舉行的技術(shù)說明會上,面對在座的供應(yīng)商管理層等,對2納米芯片的實用化顯示出極大的自信。
2023年1月,魏哲家在發(fā)布會上表示,2nm芯片的研發(fā)進展快于預期,再次強調(diào)進展順利。已開工項目的進展也體現(xiàn)了這種信心。
并未放緩投資步伐
目前半導體市場受全球通脹及經(jīng)濟放緩影響,2022年夏季開始面臨需求下滑,尤其是個人電腦及智能手機所用芯片需求不振,連臺積電工廠開工率 已經(jīng)下降。
盡管如此,臺積電今年預計在設(shè)備上的投資高達360億美元,直接關(guān)系到競爭力的尖端領(lǐng)域?qū)ε_灣的投資步伐并未放緩。 在臺積電僅次于新竹的第二大基地所在的南部臺南市,將于2022年底開始量產(chǎn)的5家3納米芯片工廠的生產(chǎn)也在快速推進。
占全球90%以上的尖端半導體產(chǎn)品的過度集中,未來在臺灣將進一步加劇。 日本經(jīng)濟新聞社數(shù)據(jù)顯示,臺積電公布的2020年后尖端產(chǎn)品(7nm以上芯片)新廠數(shù)量僅在臺灣地區(qū)就達到16家。
臺積電在美國亞利桑那州只有兩家海外工廠。 此外,美國3nm芯片量產(chǎn)要等到2026年,比臺灣晚了4年。
雖然指出了臺海的風險,但實際上,目前半導體過度集中在臺灣的局面正在強化。 這種風險在未來可能會進一步增加。(校對/武守哲)
新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)